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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN202010075766.1 | 专利名称: | 一种中孔半导体纳米结构的制作方法 |
申请日: | 2020-01-22 | 申请/专利权人 | 成都工业学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 四川省成都市花牌坊街2号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/768分类检索 半导体技术专利转让搜索 |
公开/公告日: | 2023-03-14 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN111261586B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明公开了一种能够高可靠地制备半导体中孔纳米结构的方法,首先在限制性引导结构上进行自对准侧墙薄膜生长,进而在其上沉积嵌段共聚物材料经退火形成周期性排列的定向自组装图形,随后选择性去除某一或某些区域并保留其他区域以形成预定图案。然后,以余下区域为掩模,刻蚀自对准侧墙薄膜并暴露半导体衬底的一部分形成双掩模结构,继而对上述打开的预定图案进行刻蚀形成通孔结构。之后,在衬底背部形成大尺寸的孔洞支撑结构,并与上述通孔结构相接触,最终形成中孔半导体纳米结构。本发明可以极大地克服现有光刻技术因为有限的分辨率限制和高昂的成本导致的纳米尺度的结构难于加工的问题。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |