发明专利已授权

一种中孔半导体纳米结构的制作方法

📄 申请号：CN202010075766.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-01-22

公开号

CN111261586B

公开日

2023-03-14

申请人

成都工业学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_768

IPC 分类号

H01L21_768 , B81C1_00 ,

技术画像

所属领域

半导体纳米材料半导体纳米材料纳米结构制备多孔材料

应用场景

半导体器件, 传感器, 光电子器件, 能源存储, 催化

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摘要

本发明公开了一种能够高可靠地制备半导体中孔纳米结构的方法，首先在限制性引导结构上进行自对准侧墙薄膜生长，进而在其上沉积嵌段共聚物材料经退火形成周期性排列的定向自组装图形，随后选择性去除某一或某些区域并保留其他区域以形成预定图案。然后，以余下区域为掩模，刻蚀自对准侧墙薄膜并暴露半导体衬底的一部分形成双掩模结构，继而对上述打开的预定图案进行刻蚀形成通孔结构。之后，在衬底背部形成大尺寸的孔洞支撑结构，并与上述通孔结构相接触，最终形成中孔半导体纳米结构。本发明可以极大地克服现有光刻技术因为有限的分辨率限制和高昂的成本导致的纳米尺度的结构难于加工的问题。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230314

✅ 授权

20200703

?? 实质审查的生效：

20200609

📄 公开

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