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专利名称：一种中孔半导体纳米结构的制作方法申请号：2020100757661 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：半导体技术相似专利发布日：2025/07/09
摘要：本发明公开了一种能够高可靠地制备半导体中孔纳米结构的方法，首先在限制性引导结构上进行自对准侧墙薄膜生长，进而在其上沉积嵌段共聚物材料经退火形成周期性排列的定向自组装图形，随后选择性去除某一或某些区域并保留其他区域以形成预定图案。然后，以余下区域为掩模，刻蚀自对准侧墙薄膜并暴露半导体衬底的一部分形成双掩模结构，继而对上述打开的预定图案进行刻蚀形成通孔结构。之后，在衬底背部形成大尺寸的孔洞支撑结构，并与上述通孔结构相接触，最终形成中孔半导体纳米结构。本发明可以极大地克服现有光刻技术因为有限的分辨率限制和高昂的成本导致的纳米尺度的结构难于加工的问题。

专利名称：深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法申请号：2021111329192 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：半导体技术晶体管设计制造 Schottky势垒金属半导体接触集成电路设计制造隧穿晶体管绝缘层栅电极源电极漏电极绝缘层数字逻辑电路相似专利发布日：2025/05/21
摘要：一种深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法，N型深浅组合肖特基势垒隧道晶体管，利用中央金属区与单晶硅薄膜的价带之间形成了叫深肖特基势垒，使得临近源电极的单晶硅薄膜内的空穴无法大量通过中央金属区而形成连续电流，有效抑制了静态功耗和反向漏电流的大量产生。在亚阈值区域，单晶硅薄膜的导带与源电极之间所形成的深肖特基势垒有效抑制来自源电极的电子通过热电子发射效应注入到单晶硅薄膜，有效抑制了亚阈值电流的产生。对比当前隧穿晶体管技术和肖特基势垒晶体管技术，器件同时兼具有低亚阈值摆幅、低静态功耗、低漏电、制造过程避免掺杂工艺毫秒级热处理工艺、逻辑功能与当前CMOS集成电路兼容等特点。

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