专利名称：一种中孔半导体纳米结构的制作方法
申请号：2020100757661
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法律状态：已下证
类型：发明
关键词：半导体技术
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发布日：2025/07/09
摘要： 本发明公开了一种能够高可靠地制备半导体中孔纳米结构的方法，首先在限制性引导结构上进行自对准侧墙薄膜生长，进而在其上沉积嵌段共聚物材料经退火形成周期性排列的定向自组装图形，随后选择性去除某一或某些区域并保留其他区域以形成预定图案。然后，以余下区域为掩模，刻蚀自对准侧墙薄膜并暴露半导体衬底的一部分形成双掩模结构，继而对上述打开的预定图案进行刻蚀形成通孔结构。之后，在衬底背部形成大尺寸的孔洞支撑结构，并与上述通孔结构相接触，最终形成中孔半导体纳米结构。本发明可以极大地克服现有光刻技术因为有限的分辨率限制和高昂的成本导致的纳米尺度的结构难于加工的问题。
专利名称：深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法
申请号：2021111329192
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法律状态：已下证
类型：发明
关键词：半导体技术 晶体管设计制造 Schottky势垒 金属 半导体接触 集成电路设计制造 隧穿晶体管 绝缘层 栅电极 源电极 漏电极 绝缘层 数字逻辑电路
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发布日：2025/09/22
应用场景：低功耗电子设备；高频通信系统；功率转换电路
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