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| 专利/申请号： | CN201810311172.9 | 专利名称： | 一种调控Graphene/SiC纳米异质结生长的方法 |
| 申请日： | 2018-04-09 | 申请/专利权人 | 宁波工程学院 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 浙江省宁波市海曙区翠柏路89号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L21/04 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2018-10-23 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN108695142A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 54 | 所属领域： | AP专利转让搜索 |
摘 要：本发明涉及一种调控无机半导体异质结材料生长的制备方法，特别是调控石墨烯/碳化硅(Graphene/SiC)纳米异质结生长的方法。所述的制备方法包括如下步骤：1)在清洗后的SiC晶片上溅射催化剂形成催化剂薄膜；2)将聚合物前驱体和带催化剂薄膜的SiC晶片置于石墨坩埚中；3)将高纯石墨坩埚置于气氛烧结炉中，在保护气体的作用下在1520‑1600℃下保温30‑80min进行热处理，随炉冷却至室温，制得Graphene/SiC纳米异质结。本发明能够实现Graphene/SiC纳米异质结的生长调控；且周期短，工艺可控，在纳米异质结生长的同时即可实现对其组成比例的调控。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2019/07/12 | 授权 | |
| 2018/11/16 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 21/04 专利申请号: 201810311172.9 申请日: 2018.04.09 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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