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摘 要:本发明涉及一种低冗余率的稀疏阵列构型设计方法,包括以下步骤:(1)确定两级稀疏子阵列的阵元数目及阵元间距;(2)设计稀疏阵列构型并推导阵元位置分布的解析表达式;(3)推导稀疏阵列在差分共阵域、求和共阵域及求和差分共阵域的连续区间;(4)基于步骤3中的连续区间,计算求和差分虚拟阵的连续自由度;(5)推导求和共阵与差分共阵重叠度的表达式;(6)计算该稀疏阵列构型的共阵冗余率。本发明通过减少求和虚拟阵与差分虚拟阵之间的阵元重叠率,解决了现有同类阵列设计方法存在的共阵冗余度过高的问题,在相同阵元数的情况下,具有更高的阵列利用率与自由度,从设计层面提升了角度估计性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110788746.3 | 专利名称: | 一种低冗余率的稀疏阵列构型设计方法 |
申请日: | 2021-07-13 | 申请/专利权人 | 金陵科技学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市江宁区弘景大道99号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G06F30/20搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2023-04-28 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113486525B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
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日期 | 法律信息 | 备注 |