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| 专利/申请号： | CN202120511803.9 | 专利名称： | 一种光刻胶缺陷改善装置 |
| 申请日： | 2021-03-10 | 申请/专利权人 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
| 专利类型： | 实用新型 | 地址： | 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | G03F7/16 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2021-12-03 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN215006243U | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 17 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
应用场景：集成电路晶圆制造中的光刻环节;面板显示器生产中的微米级线路加工;先进封装中的精细布线成型;半导体器件研发阶段的工艺调试;量产线上良率提升的质量管控
摘 要：本实用新型提供了一种光刻胶缺陷改善装置，包括：反应腔室；固定在所述反应腔室内的基板，所述基板上用于涂布光刻胶；固定在所述反应腔室内的吸附板，所述吸附板用于吸附光刻胶在烘烤过程中产生的光阻颗粒。也就是说，该光刻胶缺陷改善装置通过在反应腔室内设置吸附板，用于吸附光刻胶在烘烤过程中产生的光阻颗粒，不会使这些光阻颗粒掉落在待加工的光刻胶上，进而提高光刻胶加工过程中的加工质量。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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