实用新型 已授权

一种光刻胶缺陷改善装置

📄 申请号:CN202120511803.9 📄 发布日:2025/09/04

著录项目信息

申请日
2021-03-10
公开号
CN215006243U
公开日
2021-12-03
申请人
泉芯集成电路制造(济南)有限公司
法律状态
已下证
专利类型
实用新型
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

半导体制造, 晶圆加工, 芯片生产, 光刻工艺优化

摘要

本实用新型提供了一种光刻胶缺陷改善装置,包括:反应腔室;固定在所述反应腔室内的基板,所述基板上用于涂布光刻胶;固定在所述反应腔室内的吸附板,所述吸附板用于吸附光刻胶在烘烤过程中产生的光阻颗粒。也就是说,该光刻胶缺陷改善装置通过在反应腔室内设置吸附板,用于吸附光刻胶在烘烤过程中产生的光阻颗粒,不会使这些光阻颗粒掉落在待加工的光刻胶上,进而提高光刻胶加工过程中的加工质量。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20211203
✅ 授权

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