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| 专利/申请号： | CN201911325058.2 | 专利名称： | 基于干式显影和金属掺杂Sb2Te光刻胶的光刻方法 |
| 申请日： | 2019-12-20 | 申请/专利权人 | 苏州科技大学,中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省苏州市高新区科锐路1号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | G03F7/26 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2023-05-12 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN110989301B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 15 | 所属领域： | 其他专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开了一种基于干式显影和金属掺杂Sb2Te光刻胶的光刻方法，包括以下步骤：(1)通过薄膜沉积系统在基片上沉积金属掺杂Sb2Te光刻胶薄膜；(2)利用曝光系统对所述光刻胶薄膜进行曝光，使得曝光区域发生晶化；(3)通过反应离子刻蚀系统进行干法显影，得到最终的微纳结构。本发明的基于干式显影和金属掺杂Sb2Te光刻胶的光刻方法，工艺简单，成本低廉且环境友好，可用于全真空环境的器件制造。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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