实用新型 已授权

离子源和离子布植机

📄 申请号:CN202021803296.8 📄 发布日:2026/04/02

著录项目信息

申请日
2020-08-25
公开号
CN212570920U
公开日
2021-02-19
申请人
泉芯集成电路制造(济南)有限公司
法律状态
已下证
专利类型
实用新型
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

集成电路制造, 半导体器件制造, 芯片掺杂工艺, 材料表面改性, 太阳能电池制造

摘要

一种离子源和离子布植机,涉及半导体器件制备技术领域,该离子源包括用于源气体电离的腔室和用于发射热电子的阴极,所述腔室上开设有用于容置所述阴极的开口部,所述阴极的表面与所述开口部的内缘相对应的部分为缩进的弧面结构,所述弧面结构与所述开口部的内缘之间具有间隙。相较于现有技术,本实用新型通过将阴极上与开口部的内缘相对的部分设置成弧面结构,使得阴极与开口部的内缘之间的间隙得以相对增大,保证了阴极与腔室绝缘设置,同时也使得阴极周围的生成物不易与开口部短接而造成短路现象,增长了离子源的更换周期,提高了离子源的使用寿命。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (H01J37_08)

¥1800.0
不含过户费

📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:65 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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