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摘 要:本发明公开了一种全共价键石墨烯场效应晶体管及其构筑方法,所述方法为:处理基底后,在基底上负载APTMS/GO层和TPPNH2/GO层,对其进行掩膜刻蚀从而阵列化,然后再负载一层APTMS/GO层,通过一步退火得到全共价键石墨烯场效应晶体管。本发明中全共价键石墨烯场效应晶体管的电极与半导体之间通过稳定的化学键相连接,极大的降低了电极与半导体之间电荷的注入势垒,大大提高了器件的溶剂稳定性和电学稳定性。使用TPPNH2这种表面带有大量离域电子云的大π体系化合物作为偶联剂,沿着其分子骨架构筑了良好的载流子注入与传输通道,从而提高了发明的全共价键石墨烯场效应晶体管的电学性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010601124.0 | 专利名称: | 一种全共价键石墨烯场效应晶体管及其构筑方法 |
申请日: | 2020-06-29 | 申请/专利权人 | 济南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市南辛庄西路336号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/04搜分类 石墨烯搜索 |
公开/公告日: | 2020-09-22 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111696856A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |