专利名称：一种具有半绝缘多晶硅层的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管     申请号：2017101577166     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 多晶硅   相似专利 发布日：2022/07/01  

专利名称：一种多晶硅制造温度控制装置     申请号：2021222332226     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词： 多晶硅   相似专利 发布日：2022/07/06  

专利名称：一种用于多晶硅铸锭的便于定位工料的切方装置      申请号：2020217287828     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： 多晶硅   相似专利 发布日：2022/09/13  
摘要： 本实用新型公开了一种用于多晶硅铸锭的便于定位工料的切方装置，包括底座，所述底座上设置有固定机构，所述固定机构上方设置有切割机构，所述固定机构包括放置座、吸盘、连接管，所述放置座上设置有上下贯通的通孔，该通孔内侧安装有所述吸盘，所述吸盘下端安装有所述连接管，所述连接管远离所述吸盘一端安装有气泵，所述放置座上安装有电动伸缩杆，所述电动伸缩杆上安装有限位板。本实用新型结构简单，设计合理，生产成本低，极大的方便了多晶硅的固定，方便对其进行位置的调整，节省人力，提高了工作效率。