专利名称：一种具有集电极多晶硅电子通道的RC-IGBT器件      申请号：2020114815910     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电子元器件 多晶硅   相似专利 发布日：2023/07/10  
摘要： 本发明涉及一种具有集电极多晶硅电子通道的RC‑IGBT器件，属于半导体技术领域。该器件具有以下三个特点：(1)将传统RC‑IGBT的P集电极区分割成高浓度的P+空穴区和低浓度的P型电子阻挡层两段。(2)N+集电极设置在高浓度的P+空穴区内。(3)集电极底部引入N型多晶硅层。正向导通时，通过调整多晶硅层和P型电子阻挡层的掺杂，可以改变集电极短路电阻RCS，从而完全消除snapback效应；关断时，多晶硅层可以快速提取电子，有效降低关断损耗；仿真结果表明：与TRC RC‑IGBT相比，该器件正向导通时完全消除了snapback效应，且在同样正向导通压降为2.8V时，其关断损耗Eoff降低了59％。

专利名称：一种多晶硅用具有保温结构的生产设备及其使用方法      申请号：2019108978918     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：发明   关键词： 多晶硅   相似专利 发布日：2023/08/23  
摘要： 本发明公开了一种多品硅用具有保温结构的热场坩埚，包括保温筒顶座和保温筒外壳体，保温筒外壳体的上方设置有保温筒顶座，保温筒顶座的两端设置有固定手环，保温筒顶座的顶端设置有控制阀，控制阀的左下方设置有高温计，控制阀的右下方设置有测压口，控制阀下方位于保温筒顶座的内部设置有联轴器；本发明还公开了一种多品硅用具有保温结构的热场坩埚的使用方法，该装置解决了原有热场坩埚不具有保温结构导致保温性较差的问题，同时因为增加装置的保温性，还能降低生产过程中的能源消耗问题，而且旋转式加热，不仅受热均匀，同时也减少物耗能耗，可以降低产品的生产成本，从而提高竞争力。

专利名称：一种多晶硅片装箱系统      申请号：2022225643471     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体 多晶硅   相似专利 发布日：2023/04/26  
摘要： 本实用新型公开了一种多晶硅片装箱系统，涉及多晶硅片装箱技术领域，包括底座，所述底座的顶部左侧焊接有支撑板，且支撑板的右面上方固定安装有导轨，所述导轨的底部安设有直线电机，且直线电机的底部连接有第二电动推杆，所述底座的底部中央放置有装载箱，所述装载箱的右侧安设有传送带装置，且传送带装置的上方放置有多晶硅片袋，所述装载箱的内部侧面连接有第一弹簧，所述第一弹簧的末端连接有限位板。本实用新型中，通过第一弹簧能够对限位板起到支撑的作用，限位板可在第一弹簧弹力作用下与隔板配合将多晶硅片袋夹紧，通过隔板以及第一橡胶垫将其分隔开来，避免装载箱内部的多晶硅片袋彼此之间发生挤压，而被多晶硅片划破。

专利名称：多晶硅高阻结构及其制作方法      申请号：2017113671900     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 多晶硅   相似专利 发布日：2023/08/11  
摘要： 本发明涉及一种多晶硅高阻结构及其制作方法。所述多晶硅高阻结构包括衬底、形成于所述衬底上的多晶硅高阻、形成于所述衬底上且环设于所述多晶硅高阻外围与所述多晶硅高阻间隔设置的多晶硅低阻、形成于所述衬底、所述多晶硅高阻与所述多晶硅低阻的钝化层、贯穿所述氧化层且对应所述多晶硅高阻的第一接触孔、贯穿所述钝化层且对应所述多晶硅低阻的第二接触孔、形成于所述钝化层上的金属层，所述金属层包括第一部分及第二部分，所述第一部分经由所述第一接触孔连接所述多晶硅高阻，所述第二部分经由第二接触孔连接多晶硅低阻。

专利名称：一种具有半绝缘多晶硅层的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管      申请号：2017101577166     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 多晶硅   相似专利 发布日：2022/07/01  

专利名称：一种具有半绝缘多晶硅层的纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管      申请号：2017101573945     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 多晶硅   相似专利 发布日：2022/07/01  
摘要： 本发明提出了一种具有半绝缘多晶硅(SIPOS)层的纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ‑VDMOS)，该器件主要的特征是在器件超结漂移区的侧壁形成SIPOS层，SIPOS层两端分别连接器件的栅电极和漏电极。首先SIPOS层与超结漂移区形成金属‑绝缘体‑半导体(MIS)电容结构，在器件关断时，由于MIS电容两端具有电势差，该电容辅助耗尽超结漂移区，可以有效地增加N型漂移区的掺杂浓度，从而可以使得器件的导通电阻降低；其次SIPOS层上具有均匀的电阻率，在器件关断时通过电场调制效应使得器件超结漂移区上的电场分布均匀；再次在器件开态时，由于SIPOS层与器件超结漂移区的表面存在电势差，从而在超结漂移区上形成多数载流子积累层，器件的导通电阻进一步降低。

专利名称：一种生产低位错密度铸造单晶锭或多晶硅锭时的籽晶铺设方法      申请号：2020102170708     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：铸造 多晶硅   相似专利 发布日：2022/09/30  
摘要： 本发明专利公开了一种生产低位错密度铸造单晶锭或多晶硅锭时的籽晶铺设方法，包括以下步骤：S1，直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；S2，将所述单晶方棒切割成大籽晶块；S3，将所述大籽晶块再次切割成小籽晶块或籽晶条；S4，将所述小籽晶块或者籽晶条铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；S5，在所述籽晶层上放置原生多晶硅料和头尾边等循环料；S6，将所述装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；S7，将所述硅锭进行开方，开方后得到小方锭；S8，将所述小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片；铺设时高籽晶和矮籽晶交替搭配，使高籽晶和矮籽晶相接触的侧面完美融合，减少了位错出现的概率。

专利名称：一种制备高纯度多晶硅的方法      申请号：2015103088023     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 多晶硅   相似专利 发布日：2022/03/11  
摘要： 本发明公开了一种制备高纯度多晶硅的方法，包括：使用中频炉为热源，在真空炉内将坩埚在10分钟内加热至200℃，然后再次使坩埚温度在10分钟内升至500℃；将纯金属硅和造渣剂混匀成料放入坩埚中，调节中频炉频率，使坩埚和料在30分钟内的温度升至1000℃；调节中频炉频率继续升温，在30分钟内升至1600℃，然后注入氩气；继续升温至2000℃，保持10分钟，并进行第一次捞渣；之后继续升温至2300℃，保持5分钟，并进行第二次捞渣；继续升温至3000℃，保持10到15分钟，料在高温熔融态下充分匀质化，然后开始逐级降温至2000℃；将降温至2000℃的料倒出3/4，通过水冷的方法进行定向凝固。

专利名称：一种用于生产太阳能电池板的多晶硅片切割装置      申请号：2021122701236     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：发明   关键词：太阳能 半导体 电池 多晶硅   相似专利 发布日：2022/02/22  

专利名称：一种多晶硅加工焊接装置      申请号：2021223135371     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：焊接 多晶硅   相似专利 发布日：2023/01/09  
摘要： 本实用新型公开了一种多晶硅加工焊接装置，包括箱体，所述箱体的前侧开设有开口，所述箱体内腔靠近底部处固定连接有横板，本实用新型在使用时，通过夹板、圆管、螺纹杆和第一伺服电机之间的相互配合便于对多晶硅进行左右移动，且通过第二伺服电机、转杆、转盘、传动轴、矩形槽和方杆之间的相互配合可以带动焊接头前后移动，从而使得焊接头可以对多晶硅表面的任意位置进行焊接，降低操作人员劳动强度的同时提高了焊接效率，通过C形板、压板、橡胶垫、T形杆和弹簧之间的相互配合可以对多晶硅进行夹持固定，避免在焊接过程中位移滑动，给焊接工作带来了便捷。

专利名称：一种多晶硅加工焊接装置      申请号：2021217685783     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：焊接 多晶硅   相似专利 发布日：2022/09/16  
摘要： 本实用新型公开了一种多晶硅加工焊接装置，包括箱体，所述箱体的顶部开设有通孔，且箱体的顶部固定连接有第一电动伸缩杆，所述第一电动伸缩杆的底端穿过通孔的内圈，并延伸至箱体内固定连接有升降板，所述升降板的左右两侧侧壁分别固定连接有第一滑块，且箱体上开设有与第一滑块相匹配的第一滑槽，所述升降板的底部安装有焊接机本体，所述箱体的左侧内壁和右侧内壁固定连接有同一个平板，所述箱体的左侧内壁和右侧内壁分别通过轴承活动连接有丝杆，且丝杆的右端穿过轴承的内圈，并且延伸至箱体外固定连接有圆板，所述圆板的右壁靠近顶部处固定连接有短杆。本实用新型通过一系列的结构使得本装置具有长度可调节和弹性好等特点。

专利名称：一种多晶硅制造温度控制装置      申请号：2021222332226     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词： 多晶硅   相似专利 发布日：2022/07/06  

专利名称：一种多晶硅切方机单晶硅加工工件      申请号：2020211709258     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： 多晶硅   相似专利 发布日：2022/11/30  
摘要： 本实用新型公开了一种多晶硅切方机单晶硅加工工件，其结构包括加工台、调距件一、限位框架、定位板、调距件二、磁吸槽座、平稳加工结构、隔板，本实用新型的加工台上设有嵌于多个内槽处的平稳加工结构，单晶料座上开设有多个切割槽，作为单晶硅的加工结构体，对应导接槽块形成圆型结构，组合散热槽内设的加固杆、垂接杆及导接槽块有效提高结构加固性，加工过程中产生的热量通过散热槽排出，在磁吸槽座的作用下使得待加工的单晶硅保持位置固定，在操作过程中能够通过磁接盖凸起的壁面作为支撑，有效提高了操作的防滑支撑面，能够有效降低生产振动带来的影响，进而提高多晶硅切方机生产多晶硅棒的质量。

专利名称：一种多晶硅铸锭炉      申请号：2020225798933     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： 多晶硅   相似专利 发布日：2022/08/15  
摘要： 本实用新型公开了一种多晶硅铸锭炉，涉及多晶硅领域，包括支撑平台，所述支撑平台的底面垂直向下焊接有支撑立杆，所述支撑平台的顶面水平开设有扣接通槽，所述扣接通槽的内侧边竖直向焊接有中套接罐，所述中套接罐的顶端扣接有顶密封罐，所述中套接罐的底端扣接有底托罐，所述顶密封罐和底托罐的外侧边水平焊接有固定耳块，所述支撑平台的顶面和底面垂直螺栓连接有推动气缸，所述中套接罐的侧边水平焊接有进水管道，所述中套接罐的侧边水平焊接有出水管道。本实用新型装置设计结构简单操作方便，在采用了自动化的密封结构使得省时省力且提高了生产的效率，同时可以放料方便快捷大大的减少了人工的使用。

专利名称：一种带有夹紧功能的多晶硅切割装置      申请号：2020223527335     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： 多晶硅   相似专利 发布日：2022/08/22  
摘要： 本实用新型属于多晶硅加工技术领域，尤其为一种带有夹紧功能的多晶硅切割装置，针对多晶硅在加工过程中需要切割，现有的切割设备夹持机构简单，不能稳定的夹紧一些形状不规则的多晶硅，在切割时会发生偏移，影响切割精度的问题，现提出如下方案，其包括底座，所述底座的顶部两侧均固定安装有竖板，两个竖板相互靠近的一侧均开设有第一滑槽，两个第一滑槽内滑动连接有同一个移动板，移动板的底侧固定安装有电机，电机的输出轴上固定安装有横轴的一端。本实用新型结构设计合理，操作简单方便，能稳定的夹紧需要切割的多晶硅，并且夹板上焊接的固定齿防止切割过程中多晶硅发生偏移，提高了切割精度。

专利名称：一种用于多晶硅铸锭的便于定位工料的切方装置      申请号：2020217287828     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： 多晶硅   相似专利 发布日：2022/09/13  
摘要： 本实用新型公开了一种用于多晶硅铸锭的便于定位工料的切方装置，包括底座，所述底座上设置有固定机构，所述固定机构上方设置有切割机构，所述固定机构包括放置座、吸盘、连接管，所述放置座上设置有上下贯通的通孔，该通孔内侧安装有所述吸盘，所述吸盘下端安装有所述连接管，所述连接管远离所述吸盘一端安装有气泵，所述放置座上安装有电动伸缩杆，所述电动伸缩杆上安装有限位板。本实用新型结构简单，设计合理，生产成本低，极大的方便了多晶硅的固定，方便对其进行位置的调整，节省人力，提高了工作效率。

专利名称：一种利用盐酸和四氯化硅制备多晶硅的系统及方法      申请号：2014100782761     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：化学化工 多晶硅   相似专利 发布日：2023/07/25  
摘要： 本发明公开了一种制备多晶硅的系统，包括SiHCl3合成系统、氯硅烷分离系统和多晶硅制备系统，原料在合成系统反应得氯硅烷混合物，经分离后SiH2Cl2、SiCl4返回合成系统，SiHCl3纯化后进入多晶硅制备系统，多晶硅制备系统包括三氯氢硅还原系统、尾气分离系统和四氯化硅氢化系统，制备多晶硅的尾气经尾气分离后HCl、杂质排残物返回SiHCl3合成系统，H2、SiH2Cl2和SiHCl3返回三氯氢硅还原系统，SiCl4进入四氯化硅氢化系统与H2反应，反应产物返回尾气分离系统。本发明还公开了与该系统对应的多晶硅制备方法。本发明按各种物料纯度分级循环，避免高纯物料与粗品物料混合带来的反复纯化。

专利名称：一种多晶硅铸锭炉安全监控装置      申请号：2020215653961     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：监视监控 多晶硅   相似专利 发布日：2022/07/19  
摘要： 本实用新型涉及安全监控技术领域，公开了一种多晶硅铸锭炉安全监控装置，包括底座，所述底座的上端固定安装有铸锭炉，所述底座的左右两侧均开设有条形槽，所述条形槽的内侧固定安装有气缸，所述气缸的外端固定安装有警示杆，所述警示杆的上端固定安装有限位杆，所述铸锭炉的内腔下端右侧固定安装有红外传感器，所述铸锭炉的右侧中部固定安装有控制开关。本实用新型通过设置的条形槽、气缸、警示杆、限位杆、反光条、红外传感器、控制开关、PLC控制器、喇叭、水箱、第一排水管、抽水泵、第二排水管和喷头，从而给工作人员施救延长了时间，极大的降低爆炸的风险，较为实用，适合广泛推广与使用。

专利名称：一种多晶硅硅锭转运装置      申请号：2020215020668     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： 多晶硅   相似专利 发布日：2022/07/19  
摘要： 本实用新型涉及多晶硅材料加工技术领域，公开了一种多晶硅硅锭转运装置，包括载板，所述载板内固定设置有若干组均匀阵列的套杆，所述套杆内贯穿有限位杆，所述限位杆顶部外侧通过胶水粘合有橡胶套，所述限位杆底端固定设置有底板，所述限位杆靠近底板的上侧套接有弹簧，所述弹簧两端分别与套杆下端面和底板连接。本实用新型通过设置有限位杆和弹簧，可通过硅锭工件置于限位杆上，多组限位杆受重下移，并由工件四周的限位杆限制其位置，可用于异型硅锭限位，适用范围广，且可避免硅锭之间碰撞磨损，可通过橡胶套的设置，防止限位杆与硅锭之间硬性撞击，适合广泛推广与使用。

专利名称：一种磷掺杂多晶硅薄膜及其制备方法      申请号：2015103536481     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：塑料 多晶硅   相似专利 发布日：2021/03/18  
摘要： 本发明提供了一种磷掺杂多晶硅薄膜及其制备方法，属于功能材料领域。通过将多晶硅粉末与磷粉末按比例混合均匀，压片、真空烧结制得硅靶材，将硅靶材和石英玻璃基片放入真空系统中，采用激光溅射沉积的方法制备出磷掺杂多晶硅薄膜。本发明获得的磷掺杂多晶硅薄膜，其横向应变系数绝对值的最大值可达24.3；横向应变系数的非线性在1-2.5％之间，比现有的多晶硅薄膜降低了0.5％；采用本发明方法可以使多晶硅薄膜掺杂均匀、平整度高、致密性好且控制晶粒尺寸范围为0.1μm～0.5μm；本发明制备方法简单、成本低、可控性强，为多晶硅薄膜领域拓展了新思路。