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  • 专利名称:一种具有半绝缘多晶硅层的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管     申请号:2017101577166     转让价格:面议  收藏
    法律状态:已下证   类型:发明   关键词:半导体 多晶硅   相似专利 发布日:2022/07/01  
  • 专利名称:一种具有半绝缘多晶硅层的纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管      申请号:2017101573945     转让价格:面议  收藏
    法律状态:已下证   类型:发明   关键词:半导体 多晶硅   相似专利 发布日:2022/07/01  
    摘要: 本发明提出了一种具有半绝缘多晶硅(SIPOS)层的纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ‑VDMOS),该器件主要的特征是在器件超结漂移区的侧壁形成SIPOS层,SIPOS层两端分别连接器件的栅电极和漏电极。首先SIPOS层与超结漂移区形成金属‑绝缘体‑半导体(MIS)电容结构,在器件关断时,由于MIS电容两端具有电势差,该电容辅助耗尽超结漂移区,可以有效地增加N型漂移区的掺杂浓度,从而可以使得器件的导通电阻降低;其次SIPOS层上具有均匀的电阻率,在器件关断时通过电场调制效应使得器件超结漂移区上的电场分布均匀;再次在器件开态时,由于SIPOS层与器件超结漂移区的表面存在电势差,从而在超结漂移区上形成多数载流子积累层,器件的导通电阻进一步降低。
  • 专利名称:一种制备高纯度多晶硅的方法      申请号:2015103088023     转让价格:面议  收藏
    法律状态:已下证   类型:发明   关键词: 多晶硅   相似专利 发布日:2022/03/11  
    摘要: 本发明公开了一种制备高纯度多晶硅的方法,包括:使用中频炉为热源,在真空炉内将坩埚在10分钟内加热至200℃,然后再次使坩埚温度在10分钟内升至500℃;将纯金属硅和造渣剂混匀成料放入坩埚中,调节中频炉频率,使坩埚和料在30分钟内的温度升至1000℃;调节中频炉频率继续升温,在30分钟内升至1600℃,然后注入氩气;继续升温至2000℃,保持10分钟,并进行第一次捞渣;之后继续升温至2300℃,保持5分钟,并进行第二次捞渣;继续升温至3000℃,保持10到15分钟,料在高温熔融态下充分匀质化,然后开始逐级降温至2000℃;将降温至2000℃的料倒出3/4,通过水冷的方法进行定向凝固。
  • 专利名称:一种多晶硅加工焊接装置      申请号:2021223135371     转让价格:面议  收藏
    法律状态:已下证   类型:实用新型   关键词:焊接 多晶硅   相似专利 发布日:2023/01/09  
    摘要: 本实用新型公开了一种多晶硅加工焊接装置,包括箱体,所述箱体的前侧开设有开口,所述箱体内腔靠近底部处固定连接有横板,本实用新型在使用时,通过夹板、圆管、螺纹杆和第一伺服电机之间的相互配合便于对多晶硅进行左右移动,且通过第二伺服电机、转杆、转盘、传动轴、矩形槽和方杆之间的相互配合可以带动焊接头前后移动,从而使得焊接头可以对多晶硅表面的任意位置进行焊接,降低操作人员劳动强度的同时提高了焊接效率,通过C形板、压板、橡胶垫、T形杆和弹簧之间的相互配合可以对多晶硅进行夹持固定,避免在焊接过程中位移滑动,给焊接工作带来了便捷。
  • 专利名称:一种多晶硅加工焊接装置      申请号:2021217685783     转让价格:面议  收藏
    法律状态:已下证   类型:实用新型   关键词:焊接 多晶硅   相似专利 发布日:2022/09/16  
    摘要: 本实用新型公开了一种多晶硅加工焊接装置,包括箱体,所述箱体的顶部开设有通孔,且箱体的顶部固定连接有第一电动伸缩杆,所述第一电动伸缩杆的底端穿过通孔的内圈,并延伸至箱体内固定连接有升降板,所述升降板的左右两侧侧壁分别固定连接有第一滑块,且箱体上开设有与第一滑块相匹配的第一滑槽,所述升降板的底部安装有焊接机本体,所述箱体的左侧内壁和右侧内壁固定连接有同一个平板,所述箱体的左侧内壁和右侧内壁分别通过轴承活动连接有丝杆,且丝杆的右端穿过轴承的内圈,并且延伸至箱体外固定连接有圆板,所述圆板的右壁靠近顶部处固定连接有短杆。本实用新型通过一系列的结构使得本装置具有长度可调节和弹性好等特点。
  • 专利名称:一种多晶硅制造温度控制装置     申请号:2021222332226     转让价格:面议  收藏
    法律状态:授权未缴费   类型:实用新型   关键词: 多晶硅   相似专利 发布日:2022/07/06  
  • 专利名称:一种多晶硅切方机单晶硅加工工件      申请号:2020211709258     转让价格:面议  收藏
    法律状态:已下证   类型:实用新型   关键词: 多晶硅   相似专利 发布日:2022/11/30  
    摘要: 本实用新型公开了一种多晶硅切方机单晶硅加工工件,其结构包括加工台、调距件一、限位框架、定位板、调距件二、磁吸槽座、平稳加工结构、隔板,本实用新型的加工台上设有嵌于多个内槽处的平稳加工结构,单晶料座上开设有多个切割槽,作为单晶硅的加工结构体,对应导接槽块形成圆型结构,组合散热槽内设的加固杆、垂接杆及导接槽块有效提高结构加固性,加工过程中产生的热量通过散热槽排出,在磁吸槽座的作用下使得待加工的单晶硅保持位置固定,在操作过程中能够通过磁接盖凸起的壁面作为支撑,有效提高了操作的防滑支撑面,能够有效降低生产振动带来的影响,进而提高多晶硅切方机生产多晶硅棒的质量。
  • 专利名称:一种带有夹紧功能的多晶硅切割装置      申请号:2020223527335     转让价格:面议  收藏
    法律状态:已下证   类型:实用新型   关键词: 多晶硅   相似专利 发布日:2022/08/22  
    摘要: 本实用新型属于多晶硅加工技术领域,尤其为一种带有夹紧功能的多晶硅切割装置,针对多晶硅在加工过程中需要切割,现有的切割设备夹持机构简单,不能稳定的夹紧一些形状不规则的多晶硅,在切割时会发生偏移,影响切割精度的问题,现提出如下方案,其包括底座,所述底座的顶部两侧均固定安装有竖板,两个竖板相互靠近的一侧均开设有第一滑槽,两个第一滑槽内滑动连接有同一个移动板,移动板的底侧固定安装有电机,电机的输出轴上固定安装有横轴的一端。本实用新型结构设计合理,操作简单方便,能稳定的夹紧需要切割的多晶硅,并且夹板上焊接的固定齿防止切割过程中多晶硅发生偏移,提高了切割精度。
  • 专利名称:一种用于多晶硅铸锭的便于定位工料的切方装置      申请号:2020217287828     转让价格:面议  收藏
    法律状态:已下证   类型:实用新型   关键词: 多晶硅   相似专利 发布日:2022/09/13  
    摘要: 本实用新型公开了一种用于多晶硅铸锭的便于定位工料的切方装置,包括底座,所述底座上设置有固定机构,所述固定机构上方设置有切割机构,所述固定机构包括放置座、吸盘、连接管,所述放置座上设置有上下贯通的通孔,该通孔内侧安装有所述吸盘,所述吸盘下端安装有所述连接管,所述连接管远离所述吸盘一端安装有气泵,所述放置座上安装有电动伸缩杆,所述电动伸缩杆上安装有限位板。本实用新型结构简单,设计合理,生产成本低,极大的方便了多晶硅的固定,方便对其进行位置的调整,节省人力,提高了工作效率。
  • 专利名称:一种用于制备多晶硅锭的坩埚及多晶硅锭的生长方法      申请号:2014102766585     转让价格:面议  收藏
    法律状态:已下证   类型:发明   关键词: 多晶硅   相似专利 发布日:2023/05/23  
    摘要: 本发明公开了一种用于制备多晶硅锭的坩埚及多晶硅锭的生长方法,所述坩埚为中空的矩形结构,底面为正方形;所述正方形的底面上设有若干个直角的“V”型长槽。所述生长方法包括以下步骤:1)控制温度使“V”型长槽内的熔融硅率先降温到1410 ℃;2)提升保温桶使熔融硅从“V”型长槽内的底部开始形核生长;3)控制保温桶的提拉速度,使生长速度快的晶体首先达到“V”型长槽的上顶面,“V”型长槽内晶体的结晶速度2 mm/h;4)加快保温桶的提拉,以10 mm/h的速度完成接下去的晶体生长,获得柱状晶。本发明通过坩埚底部“V”型长槽的引晶作用,减少了杂质在晶体缺陷处的聚集,提高了硅锭的电学性能,提高了对多晶硅锭底部的利用率。
  • 专利名称:一种均一型多晶硅绒面的制备方法      申请号:2017105103224     转让价格:面议  收藏
    法律状态:已下证   类型:发明   关键词: 多晶硅   相似专利 发布日:2020/06/10  
    摘要: 本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种均一型多晶硅绒面的制备方法。本发明通过硅溶胶为负载体,将具有晶体结构的材料的物料包覆至材料表面,形成具有分子筛结构的薄膜,随后通过酸腐蚀改性对多硅晶体表面进行腐蚀制备,由于晶体结构的颗粒负载在材料表面后,酸腐蚀效率便会降低,使负载的材料表面无法接触酸腐蚀溶液,通过薄膜形成的软模板,对多硅晶材料表面进行刻蚀,最终制备具有均匀性结构的多硅晶绒面。
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