专利名称：一种具有半绝缘多晶硅层的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管     申请号：2017101577166     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 多晶硅   相似专利 发布日：2022/07/01  

专利名称：一种具有半绝缘多晶硅层的纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管      申请号：2017101573945     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 多晶硅   相似专利 发布日：2022/07/01  
摘要： 本发明提出了一种具有半绝缘多晶硅(SIPOS)层的纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ‑VDMOS)，该器件主要的特征是在器件超结漂移区的侧壁形成SIPOS层，SIPOS层两端分别连接器件的栅电极和漏电极。首先SIPOS层与超结漂移区形成金属‑绝缘体‑半导体(MIS)电容结构，在器件关断时，由于MIS电容两端具有电势差，该电容辅助耗尽超结漂移区，可以有效地增加N型漂移区的掺杂浓度，从而可以使得器件的导通电阻降低；其次SIPOS层上具有均匀的电阻率，在器件关断时通过电场调制效应使得器件超结漂移区上的电场分布均匀；再次在器件开态时，由于SIPOS层与器件超结漂移区的表面存在电势差，从而在超结漂移区上形成多数载流子积累层，器件的导通电阻进一步降低。

专利名称：一种多晶硅制造温度控制装置     申请号：2021222332226     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词： 多晶硅   相似专利 发布日：2022/07/06  

专利名称：一种多晶硅切方机单晶硅加工工件      申请号：2020211709258     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： 多晶硅   相似专利 发布日：2022/11/30  
摘要： 本实用新型公开了一种多晶硅切方机单晶硅加工工件，其结构包括加工台、调距件一、限位框架、定位板、调距件二、磁吸槽座、平稳加工结构、隔板，本实用新型的加工台上设有嵌于多个内槽处的平稳加工结构，单晶料座上开设有多个切割槽，作为单晶硅的加工结构体，对应导接槽块形成圆型结构，组合散热槽内设的加固杆、垂接杆及导接槽块有效提高结构加固性，加工过程中产生的热量通过散热槽排出，在磁吸槽座的作用下使得待加工的单晶硅保持位置固定，在操作过程中能够通过磁接盖凸起的壁面作为支撑，有效提高了操作的防滑支撑面，能够有效降低生产振动带来的影响，进而提高多晶硅切方机生产多晶硅棒的质量。

专利名称：一种用于多晶硅铸锭的便于定位工料的切方装置      申请号：2020217287828     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： 多晶硅   相似专利 发布日：2022/09/13  
摘要： 本实用新型公开了一种用于多晶硅铸锭的便于定位工料的切方装置，包括底座，所述底座上设置有固定机构，所述固定机构上方设置有切割机构，所述固定机构包括放置座、吸盘、连接管，所述放置座上设置有上下贯通的通孔，该通孔内侧安装有所述吸盘，所述吸盘下端安装有所述连接管，所述连接管远离所述吸盘一端安装有气泵，所述放置座上安装有电动伸缩杆，所述电动伸缩杆上安装有限位板。本实用新型结构简单，设计合理，生产成本低，极大的方便了多晶硅的固定，方便对其进行位置的调整，节省人力，提高了工作效率。