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摘 要:一种超导电缆用二硼化镁超导薄膜的制备方法,包括以下步骤:选择基板衬底,清洗基板衬底,抽真空,加热基板衬底,通入氩气和氢气的混合气体,将乙硼烷引入沉积室内,加热基板衬底至400℃以上,使单质B沉积到基板上生成无定形B薄膜,降温至常温,将B薄膜基板和高纯镁颗粒放入密闭坩埚内,在高纯氩气下退火10min,在退火过程中,以20℃/min的速度升温至800‑1000℃,然后保温30‑40min,自然降温至室温。该制备方法所制备的MgB2超导体致密度高、纯度高,同时步骤简单,易于操作,成本低,不污染环境,实用价值高。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810654722.7 | 专利名称: | 超导电缆用二硼化镁超导薄膜的制备方法 |
申请日: | 2018-06-22 | 申请/专利权人 | 无锡众创未来科技应用有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市锡山经济技术开发区凤威路2号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C16/38搜分类 塑料搜索 |
公开/公告日: | 2020-09-01 | 转让价格: | 9888.0元 |
公开/公告号: | CN108930027B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |