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摘 要:高集成中央双向肖特基结型单管反相器及其制造方法,属于集成电路设计和制造技术领域,涉及一种适用于高集成、高性能的具有中央肖特基结结构特征和由单个晶体管所组成;只需要一个晶体管即可实现反相器的基本功能,在同等工艺尺寸下,进一步提升了反相器的集成度。采用中央双向肖特基结设计,有助于有效隔离源漏两侧半导体内载流子互通,避免了隧道电流导致的泄漏电流的产生,有效降低了反相器的功耗。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202111132922.4 | 专利名称: | 高集成中央双向肖特基结型单管反相器及其制造方法 |
申请日: | 2021-09-27 | 申请/专利权人 | 沈阳工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 辽宁省沈阳市铁西区经济技术开发区沈辽西路111号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/12搜分类 半导体器件 集成电路设计制造 高集成设计 降低反相器功耗 信号反相 低功耗 高集成中央肖特基结搜索 |
公开/公告日: | 2024-03-15 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113972220B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |