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| 专利/申请号： | CN202111132922.4 | 专利名称： | 高集成中央双向肖特基结型单管反相器及其制造方法 |
| 申请日： | 2021-09-27 | 申请/专利权人 | 沈阳工业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 辽宁省沈阳市铁西区经济技术开发区沈辽西路111号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L27/12 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2024-03-15 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN113972220B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 25 | 所属领域： | 半导体器件 集成电路设计制造 高集成设计 降低反相器功耗 信号反相 低功耗 高集成中央肖特基结专利转让搜索 |
应用场景：高密度集成电路板卡的信号处理模块;便携式电子设备的电源管理单元;新能源逆变系统中的能量转换节点;物联网设备的低功耗逻辑控制电路
摘 要：高集成中央双向肖特基结型单管反相器及其制造方法，属于集成电路设计和制造技术领域，涉及一种适用于高集成、高性能的具有中央肖特基结结构特征和由单个晶体管所组成；只需要一个晶体管即可实现反相器的基本功能，在同等工艺尺寸下，进一步提升了反相器的集成度。采用中央双向肖特基结设计，有助于有效隔离源漏两侧半导体内载流子互通，避免了隧道电流导致的泄漏电流的产生，有效降低了反相器的功耗。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
| 2017109509063 | 【发明】半导体装置及其制造方法 | 2025/09/08 |
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