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发明专利
已授权
一种光伏TOPCon电池片基片表面薄膜沉积装置及工艺
📄 申请号:CN202311091766.0
📄 发布日:2026/03/27
著录项目信息
申请日
2023-08-29
公开号
CN117127170B
公开日
2024-10-22
申请人
浙江东渐产业控股集团有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
C23C16_455
IPC 分类号
C23C16_455
,
C23C16_44
,
C23C16_24
,
H01L31_18
,
技术画像
所属领域
光伏电池制造
光伏电池制造
薄膜沉积技术
半导体制造设备
应用场景
光伏电池生产, TOPCon电池制备, 晶硅电池镀膜, 太阳能电池制造
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摘要
本发明中公开了一种光伏TOPCon电池片基片表面薄膜沉积装置及工艺,涉及光伏TOPCon电池片基片加工技术领域;具体包括壳体,所述壳体的内部设置有沉积腔,且沉积腔的外侧设置有控制薄膜沉积环境温度的加热环,所述壳体的顶部安装有端盖,且壳体的侧面安装有控制端盖开合的开合盖组件,所述端盖的底部设置有环形分布的换气腔,且端盖的顶部安装有控制换气的电磁阀。本发明中在扰流桨板和隔板的相对运行作用下,使得两股交汇气相呈螺旋状向上运动,气相均匀的击穿基片表面的氧化膜层,且多股受到加热环加热的气相同步、分散的进入装置,避免对基片表面造成热浪冲击形成沉积膜富集现象,进一步提高基片表面沉积薄膜厚度分布的均匀性。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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委托待转让
📌 交易状态:
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未申报
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