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| 专利/申请号: | CN202210492717.7 | 专利名称: | 具有采样的带隙参考的CMOS图像感测 |
| 申请日: | 2022-05-07 | 申请/专利权人 | |
| 专利类型: | 发明 | 地址: | |
| 专利状态: | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号: | H04N25/76 分类检索 |
| 公开/公告日: | 转让价格: | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量: | 18 | 所属领域: | 半导体器件 集成电路设计 图像传感器技术 模拟电路设计专利转让搜索 |
应用场景:消费电子摄像头模组校准;工业机器视觉系统标定;医疗成像设备辐射剂量控制;安防监控图像质量优化;科学仪器光谱分析采样
摘 要:描述了用于CMOS图像传感器(CIS)应用的采样的带隙参考生成的技术。例如,CIS包括像素阵列、一个或多个像素模数转换器(ADC)和采样的带隙参考发生器,所有这些都紧密地集成在一个芯片上。ADC依靠来自带隙参考发生器的稳定参考电平用于执行像素阵列的像素转换。采样的带隙参考生成器的实施例可以根据参考生成周期操作。每个周期可以包括第一部分和第二部分,在第一部分中,有源核心动态地稳定带隙参考电平,在第二部分中,核心被去激活,并且带隙参考电平基于该周期的先前的第一部分期间获得的采样的电平被输出。可以控制周期时序,以实现参考电平的充分动态稳定,同时减少来自核心的光子发射。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
| 专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
| 专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
| 解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
| 专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
| 2022115387685 | 【发明】一种用于地质灾害防治的生态环境治理装置 | 2025/08/06 |