发明专利已授权

一种全MOS管的基准参考电路

📄 申请号：CN202011331994.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-11-24

公开号

CN112379717B

公开日

2022-03-22

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G05F1_567

IPC 分类号

G05F1_567

技术画像

所属领域

集成电路集成电路基准电压源模拟电路

应用场景

电源管理, 模数转换器, 传感器信号调理, 集成电路设计, 通信设备

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摘要

本发明请求保护一种全MOS管的基准参考电路，包括启动电路、基准参考核心电路及电源抑制比提升电路等。本发明采用负反馈技术的电压调整器结构的电源抑制比提升电路为基准参考核心电路提供工作电源电压而不是外部电源VDD电压来提高基准参考电路输出电压的电源抑制比，基准参考核心电路采用MOS管阈值电压补偿技术来获得温度补偿的高性能参考电压，PMOS管MD1、PMOS管MD2、PMOS管MD3、PMOS管MD4及PMOS管MD5等均采用栅极与源极结构来补偿高温区的基准参考电路的漏电电流，从而实现一种全MOS管的基准参考电路。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220322

✅ 授权

20210309

?? 实质审查的生效：

20210219

📄 公开

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¥16000.0 元

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：15 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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