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| 专利/申请号： | CN202011331994.7 | 专利名称： | 一种全MOS管的基准参考电路 |
| 申请日： | 2020-11-24 | 申请/专利权人 | 重庆邮电大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 重庆市南岸区南山街道崇文路2号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | G05F1/567 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2022-03-22 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN112379717B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 70 | 所属领域： | 半导体器件 集成电路设计 模拟电路 基准电压源 功率管理专利转让搜索 |
应用场景：电源管理芯片;传感器信号调理模块;ADC/DAC转换器校准;便携式电子设备稳压供电;工业自动化控制系统的精密基准生成
摘 要：本发明请求保护一种全MOS管的基准参考电路，包括启动电路、基准参考核心电路及电源抑制比提升电路等。本发明采用负反馈技术的电压调整器结构的电源抑制比提升电路为基准参考核心电路提供工作电源电压而不是外部电源VDD电压来提高基准参考电路输出电压的电源抑制比，基准参考核心电路采用MOS管阈值电压补偿技术来获得温度补偿的高性能参考电压，PMOS管MD1、PMOS管MD2、PMOS管MD3、PMOS管MD4及PMOS管MD5等均采用栅极与源极结构来补偿高温区的基准参考电路的漏电电流，从而实现一种全MOS管的基准参考电路。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2022/03/22 | 授权 | |
| 2021/03/09 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): G05F 1/567 专利申请号: 202011331994.7 申请日: 2020.11.24 |
| 2021/02/19 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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