发明专利已授权

硅基片上异质集成III-V族有源器件及其制备方法

📄 申请号：CN202311248852.8 📄 发布日：2026/07/08

著录项目信息

申请日

2023-09-26

公开号

CN117310873A

公开日

2023-12-29

申请人

无锡芯光互连技术研究院有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G02B6_12

IPC 分类号

G02B6_12 , G02B6_13 , G02B6_136 , G02B6_42 ,

技术画像

所属领域

硅基光子集成硅基光子集成 III-V族半导体器件异质集成工艺

应用场景

光通信, 数据中心光互连, 片上光互连, 光子集成芯片, 传感与探测系统

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摘要

本发明涉及硅基光电异质集成技术领域，具体公开了一种硅基片上异质集成III‑V族有源器件及其制备方法，包括：硅片基底；硅波导，形成在硅片基底上；III‑V族有源器件，朝向硅片基底的表面形成凹槽结构，以容纳硅波导，凹槽结构的宽度不小于硅波导的宽度，深度不小于目标深度；薄膜覆盖层，形成在硅片基底上，其厚度全部覆盖硅波导且至少部分覆盖所述III‑V族有源器件；第一金属电极，一端与凹槽结构的端面接触，另一端延伸至薄膜覆盖层表面；第二金属电极，位于III‑V族有源器件背离硅片基底的表面。本发明提供的硅基片上异质集成III‑V族有源器件能够提高III‑V族有源器件与硅波导的耦合效率且工艺难度低。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

基于HLS实现二维DOA估计的方法、装置及存储介质

当前第 / 件

一种大电流驱动可调输出电压范围的数模转换电路

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