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发布日 申请号 专利名称 法律状态 类型 价格 操作
2025/04/14 2018107222025 一种热分解薄膜制备反应装置 复制

领域:塑料  分类: C23C16/455

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2025/03/18 2019104878997 一种PECVD工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统 复制

领域:化学化工  分类: C23C16/455

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2025/01/20 2017114293162 用于气相沉积的喷头 复制

领域:半导体设备工艺 布气系统  分类: C23C16/455

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2024/01/09 2023220563403 一种金属有机化学气相沉淀设备 复制

领域:化工有机化合物  分类: C23C16/455

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2023/10/17 2019110675171 一种原子层沉积技术生长MnxN薄膜的方法 复制

领域:塑料 生长  分类: C23C16/455

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2023/10/17 2020113722618 一种基于ALD技术的SbOCl材料的制备方法 复制

领域:C L LED芯片  分类: C23C16/455

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2023/10/17 2020113264643 一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法 复制

领域:C 港口 纳米材料 生长  分类: C23C16/455

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2023/09/14 2020107044627 用于碱金属原子气室抗弛豫镀膜的均匀加热装置 复制

领域:其他 加热系统 气 均匀  分类: C23C16/455

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2022/07/01 2016101158098 一种纳米薄膜的原子层沉积定量建模方法 复制

领域:塑料 纳米材料 纳米薄膜 定量  分类: C23C16/455

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2025/04/17 2017100436531 一种氮化硼刻蚀的方法(无证书原件,有扫描件) 复制

领域:半导体材料加工 微纳制造 半导体器件制造 光刻 压印法 电介质材料 氮化硼薄膜蚀刻 薄膜光刻 刻蚀图案  分类: C23C16/455

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2024/10/10 201810678354X 一种用于制备新材料的化学气相沉积装置 复制

领域:化学化工  分类: C23C16/455

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