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摘 要:本发明公开了一种基于ALD技术的SbOCl材料的制备方法,属于纳米材料领域。在真空条件下,交替将气化后的Sb源SbCl3与氧源水以脉冲形式通入提前放入衬底的原子层沉积(ALD)设备反应腔,交替脉冲模式为:SbCl3脉冲t1→清洗t2→水脉冲t3→清洗t4,以此模式完成单个生长循环;在特定沉积温度下,重复若干单个生长循环即可得到生长有SbOCl材料的沉底。本发明采用SbCl3与氧源水的组合,将其进一步应用在原子层沉积技术中,使其能够在多种衬底上沉积负载量、原子活性位点分布可控的具有光催化性能的SbOCl材料。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011372261.8 | 专利名称: | 一种基于ALD技术的SbOCl材料的制备方法 |
申请日: | 2020-11-30 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C16/455搜分类 C L LED芯片搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |