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摘 要:本发明公开了一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法,属于纳米材料领域,在真空条件下,以脉冲形式向反应腔中通入气化后的三异丙氧基氧化钒,进行沉积,得到沉积有V源的衬底,吹扫后再以脉冲形式通入气相碳源,与沉积在衬底上的V源进行单原子反应,得到单原子层的VxC纳米材料,再次进行吹扫,之后循环上述步骤1~2000次,即可制备得到原子层沉积技术生长VxC纳米材料,其中,所述碳源为乙醚、丙醚、丁醚、或四氢呋喃的一种。本发明采用三异丙氧基氧化钒与碳源组合,将其进一步应用在原子层沉积技术中,使其能够在纳米级的衬底上沉积形成保型性较好的含VxC沉积层。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011326464.3 | 专利名称: | 一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法 |
申请日: | 2020-11-24 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C16/455搜分类 C 港口 纳米材料 生长搜索 |
公开/公告日: | 2021-10-22 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112553600B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |