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摘 要:本发明公开了一种原子层沉积技术生长MnxN薄膜的方法,属于半导体制备技术领域。本发明的方法包括以下步骤:(1)将衬底置于反应腔中,在真空条件下,以脉冲形式向反应腔中通入气相Mn源进行沉积,得到沉积有Mn源的衬底,所述Mn源为具有式1所示结构的化合物;(2)向体系中充入惰性气体进行吹扫;(3)将氮源以脉冲形式通入反应腔,与沉积在衬底上的Mn源进行单原子反应,得到单原子层的MnxN薄膜;(4)向体系中充入惰性气体吹扫,完成一个ALD循环,将上述循环过程重复多次,即可得到一定厚度的MnxN薄膜。本发明能够在纳米级的半导体器件上沉积形成保型性较好的含MnxN沉积层。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201911067517.1 | 专利名称: | 一种原子层沉积技术生长MnxN薄膜的方法 |
申请日: | 2019-11-04 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C16/455搜分类 塑料 生长搜索 |
公开/公告日: | 2020-11-06 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN110804731B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |