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一种原子层沉积技术生长MnxN薄膜的方法

来源:https://www.shizifang.com  发布日:2023/10/17

摘     要:本发明公开了一种原子层沉积技术生长MnxN薄膜的方法,属于半导体制备技术领域。本发明的方法包括以下步骤:(1)将衬底置于反应腔中,在真空条件下,以脉冲形式向反应腔中通入气相Mn源进行沉积,得到沉积有Mn源的衬底,所述Mn源为具有式1所示结构的化合物;(2)向体系中充入惰性气体进行吹扫;(3)将氮源以脉冲形式通入反应腔,与沉积在衬底上的Mn源进行单原子反应,得到单原子层的MnxN薄膜;(4)向体系中充入惰性气体吹扫,完成一个ALD循环,将上述循环过程重复多次,即可得到一定厚度的MnxN薄膜。本发明能够在纳米级的半导体器件上沉积形成保型性较好的含MnxN沉积层。

著 录 项: 

专利/申请号: CN201911067517.1 复制 专利名称: 一种原子层沉积技术生长MnxN薄膜的方法 复制
申请日: 2019-11-04 申请/专利权人 江南大学
专利类型: 发明 地址: 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号
专利状态: 已下证 查询审查信息 分类号: C23C16/455搜分类   塑料 生长搜索
公开/公告日: 2020-11-06 转让价格: 面议
公开/公告号: CN110804731B 交易状态: 等待洽谈   搜索相似专利

专利交易流程

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专利转让材料

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    专利转让委托书(需盖公章)一式两份 专利转让委托书(需签字)一式两份
    专利转让协议(需盖公章)一式两份 专利转让协议(需签字)一式两份
    卖家 营业执照副本复印件(需盖公章) 身份证复印件(需申请人签字)
    解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请)
    专利转让协议(需盖公章)一式两份 专利转让协议(需签字)一式两份
    专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
    专利证原件(若授权下证) 专利证原件(若授权下证)

专利法律信息

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