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摘 要:一种高响应度的雪崩光电二极管结构涉及雪崩二极管技术领域,解决了低噪声和高倍增增益难以同时实现的问题,二极管结构为纳米线型,包括从下至上顺次设置的GaAs倍增层、窄带隙插入层和吸收层;插入层的材料为GaAs1‑xSbx,吸收层的材料为GaAs1‑ySby;或者;插入层的材料为IniGa1‑iAs,吸收层的材料为InjGa1‑jAs;i和x为固定值,吸收层的In或Sb组分由下至上线性递增。且x>ymin,i>jmin。本发明通过窄带隙插入层在价带形成空穴阱,捕获空穴,并在插入层和倍增层之间形成强空穴势垒以阻挡空穴,增强了雪崩区的电场强度,提高了倍增因子,降低了噪声。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110526831.2 | 专利名称: | 一种高响应度的雪崩光电二极管结构 |
申请日: | 2021-05-14 | 申请/专利权人 | 长春理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市卫星路7089号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/107搜分类 电子元器件 电子设备和元器件搜索 |
公开/公告日: | 2022-07-05 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113284973B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |