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摘 要:一种量子阱雪崩光电二极管涉及雪崩二极管技术领域,解决了现有不具有高响应度和低噪声的雪崩光电二极管的问题,空穴雪崩二极管包括顺次设置的n型半导体吸收层、雪崩层和p型半导体载流子收集层、n型电极和p型电极,雪崩层包括II型多量子阱或者多异质结,雪崩层的能带排列为II型排列;空穴在II型多量子阱的阱垒界面处或多异质结的p型n型界面处得到价带带阶后的空穴能量等于其离化阈值能量,空穴发生碰撞离化过程;电子在II型多量子阱的阱垒界面处或多异质结的p型n型界面处失去导带带阶后的电子能量小于其离化阈值能量,电子不发生碰撞离化过程。本发明实现了高倍增因子和低噪声特性,提高现有雪崩光电二极管的性能指标。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110526233.5 | 专利名称: | 一种量子阱雪崩光电二极管 |
申请日: | 2021-05-14 | 申请/专利权人 | 长春理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市卫星路7089号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/107搜分类 电子元器件 电子设备和元器件搜索 |
公开/公告日: | 2022-08-26 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113284972B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |