咨询电话：13280638997
传真：0533-3110363
邮箱：kefu@shizifang.com
24小时咨询热线13280638997
24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN201310118464.8 | 专利名称： | 用于荧光检测的双结深光电二极管 |
| 申请日： | 2013-04-07 | 申请/专利权人 | 浙江工业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 浙江省杭州市下城区潮王路18号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L27/142分类检索 电子元器件 检测 电子设备和元器件专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：基于标准CMOS工艺的双结深PN结光电二极管,由半导体硅P型衬底和N型阱构成的深结PN结光电二极管;由P型源漏注入和所述N型阱构成的浅结PN结光电二极管，所述半导体硅P型衬底为所述深结PN结光电二极管的阳极，所述N型阱为所述深结PN结光电二极管的阴极；所述P型源漏注入为所述浅结PN结光电二极管的阳极，所述N型阱为所述浅结PN结光电二极管的阴极；所述半导体硅P型衬底通过P型源漏注入形成重掺杂欧姆接触，并通过金属接触孔引出，所述N型阱通过N型源漏注入形成重掺杂欧姆接触，并通过金属接触孔引出。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2016/02/24 | 授权 | |
| 2013/08/21 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 27/142 专利申请号: 201310118464.8 申请日: 2013.04.07 |
| 2013/07/24 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
| 2019800006579 | 【】动态电荷域取样的图像传感器 | 2025/05/21 |
| 2017100718665 | 【发明】一种新型AMOLED显示屏及其制作方法 | 2025/04/30 |
| 2020114733910 | 【发明】一种GaN基混合式三维成像与测距装置 | 2025/04/30 |
| 2010101300804 | 【发明】发光二极管及其制作方法 | 2025/08/05 |
| 202110022981X | 【发明】一种图像传感器的形成方法 | 2025/07/31 |
| 2022217629203 | 【实用新型】一种HEMT与嵌入式电极LED的混合集成方法及器件 | 2025/06/26 |
| 2021220769746 | 【实用新型】一种摄像传感器芯片封装结构 | 2025/03/13 |
| 2018114073792 | 【发明】图像传感器及其制造方法 | 2025/02/05 |
| 2019210096282 | 【实用新型】透镜组件、成像装置及生物特征检测系统 | 2025/02/05 |
| 2018212073581 | 【实用新型】图像传感器、身份识别装置及设备 | 2025/06/09 |
