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摘 要:本发明公开一种GaN基混合式三维成像与测距装置,涉及测距成像领域,包括处理器、晶圆片、硅晶片、GaN紫外发光二极管、GaN紫外日盲APD、GaN红外探测管和PCB板,解决了激光测距仪均不能成像、激光刺眼、红外成像误判率高且为二维成像、CCD成像成本高且不易单片集成等问题。其包括使用单片集成的GaN紫外发光二极管阵列,和GaN紫外日盲APD、GaN红外探测器非致冷焦平面阵列,可同时实现红外和紫外的成像和测距。其实现的特点是采用三种单片集成的GaN器件的混合工作方式,在无需额外激光源的情况下,实现在极暗的环境下完成高质量的成像与测距,且抗干扰能力强、人体无察觉、成本适中、小尺寸、低损耗。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011473391.0 | 专利名称: | 一种GaN基混合式三维成像与测距装置 |
申请日: | 2020-12-15 | 申请/专利权人 | 南京工业职业技术大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市秦淮区中山东路532-2号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/146搜分类 测量测绘搜索 |
公开/公告日: | 2021-03-12 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112490257A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |