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发明专利
已授权
一种GaN基混合式三维成像与测距装置
📄 申请号:CN202011473391.0
📄 发布日:2026/05/18
著录项目信息
申请日
2020-12-15
公开号
CN112490257A
公开日
2021-03-12
申请人
南京工业职业技术大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L27_146
IPC 分类号
H01L27_146
,
H01L25_16
,
技术画像
所属领域
测距装置
氮化镓光电器件
光电集成器件
三维成像与测距
测距装置
应用场景
自动驾驶, 工业自动化, 智能机器人, 消费电子, 安防监控
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摘要
本发明公开一种GaN基混合式三维成像与测距装置,涉及测距成像领域,包括处理器、晶圆片、硅晶片、GaN紫外发光二极管、GaN紫外日盲APD、GaN红外探测管和PCB板,解决了激光测距仪均不能成像、激光刺眼、红外成像误判率高且为二维成像、CCD成像成本高且不易单片集成等问题。其包括使用单片集成的GaN紫外发光二极管阵列,和GaN紫外日盲APD、GaN红外探测器非致冷焦平面阵列,可同时实现红外和紫外的成像和测距。其实现的特点是采用三种单片集成的GaN器件的混合工作方式,在无需额外激光源的情况下,实现在极暗的环境下完成高质量的成像与测距,且抗干扰能力强、人体无察觉、成本适中、小尺寸、低损耗。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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📌 交易状态:
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