发明专利已授权

一种图像传感器的形成方法

📄 申请号：CN202110022981.X 📄 发布日：2026/07/29

著录项目信息

申请日

2021-01-08

公开号

CN112635506B

公开日

2024-11-05

申请人

苏州青珩信息科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_146

IPC 分类号

H01L27_146

技术画像

所属领域

图像传感器图像传感器半导体器件集成电路制造工艺

应用场景

消费电子, 安防监控, 医疗影像, 自动驾驶, 工业视觉

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摘要

一种图像传感器的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅沟槽，在所述栅沟槽的底部和侧面形成溢出栅绝缘层，在所述溢出栅绝缘层上形成溢出栅电极，所述溢出栅绝缘层与所述溢出栅电极组成溢出栅极结构，所述溢出栅极结构具有第一侧表面和相对于第一侧表面的第二侧表面；在所述溢出栅极结构的第一侧表面半导体衬底中形成二极管掺杂区；在所述溢出栅极结构的第二侧表面半导体衬底中形成溢出漏区，所述溢出漏区电连接电源线；所述溢出栅极结构的深度小于所述二极管掺杂区的深度且大于所述溢出漏区的深度。所述图像传感器的性能得到提高。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20250124

?? 专利权的转移：

20241105

✅ 授权

20210427

?? 实质审查的生效：

20210409

📄 公开

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议价

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