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| 专利/申请号： | CN201711351287.2 | 专利名称： | 基于硅通孔的转接板及其制备方法 |
| 申请日： | 2017-12-15 | 申请/专利权人 | |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L21/48 分类检索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量： | 38 | 所属领域： | 其他专利转让搜索 |
摘 要：本发明涉及一种基于硅通孔的转接板及其制备方法，该方法包括：选取衬底材料；在所述衬底材料上制备多个ESD防护器件；刻蚀所述衬底材料在所述ESD防护器件两侧形成隔离沟槽；刻蚀所述衬底材料在所述隔离沟槽两侧形成TSV；分别填充所述隔离沟槽和所述TSV形成隔离区和TSV区；在所述衬底材料上表面制备所述TSV区的第一端面与所述ESD防护器件的互连线；在所述TSV区的第二端面制备金属凸点以完成所述TSV转接板的制备。本发明提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工二极管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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