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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201711351287.2 | 专利名称: | 基于硅通孔的转接板及其制备方法 |
申请日: | 2017-12-15 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/48分类检索 其他专利转让搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 【平台担保交易】 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明涉及一种基于硅通孔的转接板及其制备方法,该方法包括:选取衬底材料;在所述衬底材料上制备多个ESD防护器件;刻蚀所述衬底材料在所述ESD防护器件两侧形成隔离沟槽;刻蚀所述衬底材料在所述隔离沟槽两侧形成TSV;分别填充所述隔离沟槽和所述TSV形成隔离区和TSV区;在所述衬底材料上表面制备所述TSV区的第一端面与所述ESD防护器件的互连线;在所述TSV区的第二端面制备金属凸点以完成所述TSV转接板的制备。本发明提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工二极管作为ESD防护器件,解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题,增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |