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摘 要:本发明公开了一种双层基区SiC NPN集成晶体管,包括衬底,衬底的上端表面依次设置有第一外延层、第二外延层、第三外延层、第四外延层、第五外延层;第五外延层和第四外延层组成凸台三;第三外延层和第二外延层组成凸台二;第一外延层为凸台一;还包括钝化层,钝化层覆盖凸台三、凸台二和凸台一的外表面及衬底的上端表面;凸台三的上端表面设有电极一;凸台二的上端表面设有电极二;凸台三的上端表面设有有电极三。本发明还公开了该双层基区SiC NPN集成晶体管的制作方法。本发明提供的双层基区SiC NPN集成晶体管的基区采用低高结的双层结构,降低增益β随温度的漂移程度。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910089310.8 | 专利名称: | 一种双层基区SiC NPN集成晶体管及其制作方法 |
申请日: | 2019-01-30 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/10搜分类 C IC P 港口搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |