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24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN201410550486.6 | 专利名称： | 一种NAND闪存及制备方法 |
| 申请日： | 2014-10-16 | 申请/专利权人 | |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L27/115 分类检索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量： | 22 | 所属领域： | 内存专利转让搜索 |
摘 要：本发明提供了一种基于Gate Last金属栅工艺的二维NAND型闪存，采用金属栅工艺实现NAND单元的控制栅，而不是传统的多晶硅环绕控制栅，可以实现与高介电常数金属栅先进CMOS工艺的集成，与目前主流的Gate Last CMOS工艺兼容，克服了目前NAND闪存工艺无法与先进标准逻辑工艺兼容的问题。同时提出了如何在高介电常数金属栅先进CMOS工艺中实现高压DMOS器件的方法，以实现NAND闪存的擦写操作。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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