发明专利已授权

降低DRAM软错误的方法

Name: 降低DRAM软错误的方法
Brand: 上海新储集成电路有限公司
SKU: 2014102610740
Availability: InStock

📄 申请号：CN201410261074.0 📄 发布日：2025/10/22

著录项目信息

申请日

2014-06-12

公开号

CN104167224B

公开日

2018-06-29

申请人

上海新储集成电路有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G11C29_44

IPC 分类号

G11C29_44

技术画像

所属领域

半导体存储器半导体存储器存储器可靠性技术集成电路设计

应用场景

数据中心, 服务器, 消费电子, 云计算, 嵌入式系统

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摘要

本发明公开了一种降低DRAM软错误的方法，该方法能够主动检测软错误，智能降低软错误的发生率，使得DRAM中的错误位数保持在DRAM错误纠正能力范围之内，直至没有错误发生，DRAM恢复正常状态，从而提高了内存的可靠性、可用性以及可服务性，该方法可用于为广大客户提供关键任务程序和服务的领域，应用范围广，适用性强。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN104167224B

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该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20180629

✅ 授权

20141224

?? 实质审查的生效：

20141126

📄 公开

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：90 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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