离子注入工艺的监控方法

摘     要：一种离子注入工艺的监控方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一氧化层；在第一氧化层上形成多晶硅层，对多晶硅层进行光刻与刻蚀，形成多个间隔设置的多晶硅区域、连接于多个多晶硅区域一端的第一多晶硅及连接多个多晶硅区域另一端的第二多晶硅，多晶硅区域的宽度沿预定方向依次增大；进行光刻及离子注入使得第一多晶硅形成饱和掺杂N型多晶硅、第二多晶硅形成注入掺杂P型多晶硅；在多晶硅区域及第一氧化层上形成绝缘层，对绝缘层进行光刻与蚀刻，形成对应多晶硅区域的多个开口，多个开口的宽度随着多晶硅区域的间距的增大而依次增大；利用多个开口以注入角度对多个多晶硅区域进行离子注入；进行热退火，激活注入的离子；及连接测试电压进行测试。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2020/08/28	授权
  2020/08/14	专利申请权的转移	登记生效日: 2020.07.28 申请人由深圳市晶特智造科技有限公司变更为李友洪 地址由518000 广东省深圳市宝安区福永街道和平社区骏丰工业区A3栋一楼变更为318050 浙江省台州市路桥区蓬街镇山下李村38号
  2018/06/26	实质审查的生效	IPC(主分类): H01L 21/66 专利申请号: 201711366148.7 申请日: 2017.12.18
  2018/06/01	公开