实用新型 已授权

一种量子高反射率VCSEL激光器件

📄 申请号:CN202121942650.X 📄 发布日:2026/09/21

著录项目信息

申请日
2021-08-18
公开号
CN216214797U
公开日
2022-04-05
申请人
谷麦光电科技股份有限公司
法律状态
已下证
专利类型
实用新型
主分类号
IPC 分类号

技术画像

所属领域

应用场景

摘要

本实用新型提供的一种量子高反射率VCSEL激光器件,采用反射率极高的半导体DBR结构可以得到足够高的增益,可以做到极低的损耗,而且能够产生高质量光束,还设有固定装置使得激光器件定位简单方便拆装检修,其解决的技术方案是,包括壳体,壳体内部底端设有固定装置,通过固定装置连接有激光模块,激光模块上方从下往上依次设有位于壳体内部腔体的准直镜头和DOE扩散片,激光模块内部从下到上依次设有衬底、N型接触层、N型DBR,量子阱有源区、氧化限制层、P型DBR和P型接触层,N型DBR和P型DBR中间区域构成谐振腔,本实用新型集高输出功率和高转换效率和高质量光束等优点于一身。

常见问题

这项专利是否已经下证?

是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN216214797U

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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