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一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件

Name: 一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件
Brand: 湖南正芯微电子探测器有限公司
SKU: 202011065727X
Availability: InStock

📄 申请号：CN202011065727.X 📄 发布日：2026/09/11

著录项目信息

申请日

2020-09-30

公开号

CN112071874A

公开日

2020-12-11

申请人

湖南正芯微电子探测器有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_146

IPC 分类号

H01L27_146

技术画像

所属领域

硅漂移探测器硅漂移探测器金属氧化物半导体场效应晶体管半导体集成器件

应用场景

辐射探测, X射线光谱分析, 医学成像, 安检成像, 空间探测

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摘要

本发明公开了一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件，包括：硅体；p型硅体，位于硅体内，且上表面与硅体的上表面齐平；栅极设置于所述二氧化硅层上，且位于p型硅体的上方；源极、漏极分别设置于栅极的两侧，位于p型硅体内且与p型硅体的表面齐平；p型重掺杂区，设置于硅体内，围绕金属氧化物半导体场效应晶体管且与p型硅体的表面齐平；阳极收集电极，位于所述硅体内，与p型重掺杂区间隔设置且与p型硅体的表面齐平；阴极环，位于硅体内，与阳极收集电极间隔设置且与p型硅体的表面齐平；二氧化硅层，设置于硅体上，与硅体接触；通过刻蚀二氧化硅层露出阴极环、阳极收集电极、p型重掺杂区、源极、漏极。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN112071874A

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：7 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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王**¥-10万

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