专利交易市场

本实用新型公开了一种硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构，包括：腔体，所述腔体上开设有光学窗口；硅漂移探测器，设置于所述腔体内；准直器，设置于所述腔体内，将透过所述光学窗口的光线耦合至所述硅漂移探测器的光接收端；放大器，设置于所述腔体内，与所述硅漂移探测器电连接，用于放大所述硅漂移探测器的输出信号；制冷器件，具有冷端和热端，所述冷端靠近所述腔体设置，所述热端远离所述腔体设置。本实用新型采用半导体制冷器件，具有无需制冷剂、可连续工作、没有污染、结构简单、噪声小、寿命长、效率高、耗电低、易于控制操作等特点，既能制冷又能制热，可以让探测器在常温下工作，也可以在深空环境或者极端环境下工作。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

本实用新型公开了一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件，包括：硅体；p型硅体，位于硅体内，且上表面与硅体的上表面齐平；栅极设置于所述二氧化硅层上，且位于p型硅体的上方；源极、漏极分别设置于栅极的两侧，位于p型硅体内且与p型硅体的表面齐平；p型重掺杂区，设置于硅体内，围绕金属氧化物半导体场效应晶体管且与p型硅体的表面齐平；阳极收集电极，位于所述硅体内，与p型重掺杂区间隔设置且与p型硅体的表面齐平；阴极环，位于硅体内，与阳极收集电极间隔设置且与p型硅体的表面齐平；二氧化硅层，设置于硅体上，与硅体接触；通过刻蚀二氧化硅层露出阴极环、阳极收集电极、p型重掺杂区、源极、漏极。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

本实用新型公开了一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成的芯片，包括：衬底；耗尽层，形成于所述衬底上；深p型沟道，横向设置于所述耗尽层内；n型硅体，横向设置于所述耗尽层内且位置所述深p型沟道上方；间隔排列在所述n型硅体上方且位置耗尽层内的第一n型重掺杂区、p型重掺杂区、第二n型重掺杂区；p型掺杂区，设置于所述耗尽层内且与所述第二n型重掺杂区间隔设置；第三n型重掺杂区，设置于所述耗尽层内且与所述p型掺杂区间隔设置；阴极环，设置于耗尽层内，与第三n型重掺杂区间隔设置。本实用新型将超大面积硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成在一个芯片上，大大减少封装的难度，以及芯片集成时所占的面积，且便于探测器与场效应管的参数调节。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

本发明提供了一种扇形硅漂移探测器，包括基底，基底的上表面为收集面，基底的下表面为入射面；收集面的中心是收集阳极，以收集阳极为中心向外依次设置有收集面漂浮阴极环、收集面内环加压环，收集面内环加压环、收集阳极、收集面漂浮阴极环之间同心；收集面内环加压环外围设置有扇形单元，扇形单元之间设有表面电子排出通道；扇形单元外侧设置有环形保护阳极；入射面包括入射面窗口、入射面阴极加压环和入射面保护环，入射面阴极加压环内部为入射窗口，入射面阴极加压环外侧为入射面保护环。解决了现有技术中存在的表面漏电流会被阳极收集、对于不同角度的扇形结构无法实现拼接等问题。本发明还提供了一种扇形硅漂移探测器的制备方法。

本发明公开了一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件，包括：硅体；p型硅体，位于硅体内，且上表面与硅体的上表面齐平；栅极设置于所述二氧化硅层上，且位于p型硅体的上方；源极、漏极分别设置于栅极的两侧，位于p型硅体内且与p型硅体的表面齐平；p型重掺杂区，设置于硅体内，围绕金属氧化物半导体场效应晶体管且与p型硅体的表面齐平；阳极收集电极，位于所述硅体内，与p型重掺杂区间隔设置且与p型硅体的表面齐平；阴极环，位于硅体内，与阳极收集电极间隔设置且与p型硅体的表面齐平；二氧化硅层，设置于硅体上，与硅体接触；通过刻蚀二氧化硅层露出阴极环、阳极收集电极、p型重掺杂区、源极、漏极。