发明专利已授权

一种平面非连续剪切增稠SiC研抛一体抛光装置

📄 申请号：CN202310782998.4 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2023-06-29

公开号

CN117020929B

公开日

2026-04-21

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B24B37_10

IPC 分类号

B24B37_10 , B24B37_34 , B24B47_12 , B24B57_02 , B24B57_00 , B24B7_22 ,

技术画像

所属领域

精密抛光设备精密抛光设备剪切增稠加工技术研磨加工设备

应用场景

半导体晶片抛光, 碳化硅衬底加工, 精密表面加工, 晶圆制造

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摘要

本发明属于硬脆材料研磨抛光技术领域，具体涉及一种平面非连续剪切增稠SiC研抛一体抛光装置，包括工作台、抛光盘组件、抛光头组件，抛光盘组件包括抛光盘主体、抛光盘驱动机构、恒压供液机构和抛光垫，抛光盘主体的中心部位内置中心分液腔，抛光盘主体的上表面以中心分液腔为中心内外设置若干圈环形的抛光液贮藏槽。本发明解决了SiC衬底平面研磨抛光流程长成本高，表面粗糙等问题，在相对剪切速率较高时，剪切增稠抛光液发生剪切增稠现象，实现SiC衬底的研磨工序，在相对剪切速率较低时，实现SiC衬底的抛光工序，从而获得低损伤的SiC衬底，为后续CMP工序提供更好的衬底。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种力流变抛光液循环装置

当前第 / 件

一种固定化酶、基于可重复利用该酶的生物制油方法及装置

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：19 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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