发明专利 已授权

一种平面非连续剪切增稠SiC研抛一体抛光装置

📄 申请号:CN202310782998.4 📄 发布日:2026/08/04

著录项目信息

申请日
2023-06-29
公开号
CN117020929B
公开日
2026-04-21
申请人
浙江工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

半导体晶片抛光, 碳化硅衬底加工, 精密表面加工, 晶圆制造

摘要

本发明属于硬脆材料研磨抛光技术领域,具体涉及一种平面非连续剪切增稠SiC研抛一体抛光装置,包括工作台、抛光盘组件、抛光头组件,抛光盘组件包括抛光盘主体、抛光盘驱动机构、恒压供液机构和抛光垫,抛光盘主体的中心部位内置中心分液腔,抛光盘主体的上表面以中心分液腔为中心内外设置若干圈环形的抛光液贮藏槽。本发明解决了SiC衬底平面研磨抛光流程长成本高,表面粗糙等问题,在相对剪切速率较高时,剪切增稠抛光液发生剪切增稠现象,实现SiC衬底的研磨工序,在相对剪切速率较低时,实现SiC衬底的抛光工序,从而获得低损伤的SiC衬底,为后续CMP工序提供更好的衬底。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:60 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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