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本发明属于硬脆材料研磨抛光技术领域，具体涉及一种平面非连续剪切增稠SiC研抛一体抛光装置，包括工作台、抛光盘组件、抛光头组件，抛光盘组件包括抛光盘主体、抛光盘驱动机构、恒压供液机构和抛光垫，抛光盘主体的中心部位内置中心分液腔，抛光盘主体的上表面以中心分液腔为中心内外设置若干圈环形的抛光液贮藏槽。本发明解决了SiC衬底平面研磨抛光流程长成本高，表面粗糙等问题，在相对剪切速率较高时，剪切增稠抛光液发生剪切增稠现象，实现SiC衬底的研磨工序，在相对剪切速率较低时，实现SiC衬底的抛光工序，从而获得低损伤的SiC衬底，为后续CMP工序提供更好的衬底。

本实用新型公开了一种精密陶瓷结构件无心外圆抛光设备，包括设备台体、支座、抛光轮、定位架和集尘座，所述支座皆设置在设备台体顶端的两侧，所述抛光轮安装在支座的内部，所述支座的外壁上安装有第二旋转驱动件，且所述第二旋转驱动件的输出端与抛光轮固定连接，所述集尘座设置在抛光轮之间的设备台体顶端，且所述集尘座的内部固定有镂空网板，所述定位架皆固定在集尘座两侧的设备台体顶端，且所述定位架的内部设置有V型槽，并且所述V型槽的内部皆转动安装有等间距的滚筒。本实用新型不仅可有效的防止陶瓷结构件发生偏移，便于快速对抛光时产生的粉尘进行清理，而且便于调节抛光轮的间距，扩大了设备的适配范围。