发明专利已授权

氮化铝基底上的低粗糙度微晶金刚石薄膜及其制备方法

📄 申请号：CN202110886090.9 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2021-08-03

公开号

CN113755819B

公开日

2024-04-09

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_27

IPC 分类号

C23C16_27 , C23C16_455 , C23C16_52 ,

技术画像

所属领域

金刚石薄膜金刚石薄膜薄膜制备工艺化学气相沉积

应用场景

电子器件散热, 功率半导体, 光学窗口, 耐磨涂层, 半导体衬底

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摘要

本发明提供了一种在氮化铝基底上生长低粗糙度金刚石薄膜的制备方法。该方法是在热丝化学气相沉积系统中采用循环沉积气压的方法在氮化铝基底上生长低粗糙度的微晶金刚石薄膜，具有较高的稳定性、耐蚀性，具有相对低的表面粗糙度；使其有望用于波导器件中减少光的散射损失，增强检测精度，对于制备金刚石薄膜基波导器件有重要的应用价值。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于K-Means的无线供能通信网络数据传输方法

当前第 / 件

一种基于分治融合的高清人脸属性编辑方法

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