发明专利已授权

一种去厚均匀的硅片全自动抛光方法及设备

📄 申请号：CN202510494386.4 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2025-04-21

公开号

CN120002545B

公开日

2025-07-18

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B24B37_10

IPC 分类号

B24B37_10 , B24B57_02 , B24B1_00 , H01L21_304 ,

技术画像

所属领域

自动抛光半导体制造工艺化学机械抛光抛光设备自动抛光

应用场景

集成电路制造, 晶圆加工, 半导体器件制造, 芯片制造

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摘要

本发明提供了一种去厚均匀的硅片全自动抛光方法及设备，该抛光方法包括贴片，通过贴片设备将硅片沿陶瓷盘圆周均匀铺贴多片，随后转移到本发明抛光设备上；粗抛，抛光垫对硅片表面进行打磨抛光，并同时对陶瓷盘施加400‑500千克的压力，抛光6‑8分钟；中抛，通过旋转机器手转移陶瓷盘和硅片，对硅片进一步抛光，对陶瓷盘施加200‑300千克的压力，抛光6‑8分钟；通过粗抛、中抛、精抛多工序连续抛光作业，实现高精度去厚，同时，在中抛和精抛过程中，根据硅片不同部位去厚量减小或增大对应部位的压力，保证硅片表面去厚量一致，从而保证硅片表面的厚度一致性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：14 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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