发明专利已授权

基于氮化硅光子晶体的氮化镓面发射激光器及制备方法

📄 申请号：CN202111234345.X 📄 发布日：2026/07/28

著录项目信息

申请日

2021-10-22

公开号

CN114094439B

公开日

2023-12-12

申请人

南京邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01S5_11

IPC 分类号

H01S5_11 , H01S5_343 ,

技术画像

所属领域

光子晶体光子晶体半导体激光器氮化镓光电子器件

应用场景

光通信, 激光显示, 光存储, 激光加工, 传感探测

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摘要

本发明提供一种基于氮化硅光子晶体的氮化镓面发射激光器及制备方法，结构包括氮化硅光子晶体衬底层、n‑GaN层、n‑电极、InGaN/GaN成对组成的量子阱有源层、p‑GaN层、p‑AlGaN层、p‑GaN重掺杂层和p‑电极。本发明工艺上利用了薄膜转移工艺形成了让具有低损耗谐振的氮化硅的光子晶体层跟GaN的有源薄膜腔相结合的结构，从而实现创新性性能的蓝光波段的激光器。基于氮化硅材料的光子晶体，其生长制备更加简便，并且实现了高Q值，低损耗，同时其与氮化镓薄膜的结合能实现在光子晶体层和有源层光场的高效耦合，有利于高性能激光器的实现。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

应用于超声加工的多频段谐振频率追踪电路及方法

当前第 / 件

一类强供电子基氟硼二吡咯衍生物及其制备方法和应用

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：27 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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