发明专利已授权

易除液相源残留的单畴钆钡铜氧超导块材及其制备方法

📄 申请号：CN201610693560.9 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-08-19

公开号

CN106222749B

公开日

2018-09-28

申请人

北京临界领域科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B29_22

IPC 分类号

C30B29_22 , C30B1_10 , C30B11_04 , C30B33_02 ,

技术画像

所属领域

超导材料超导材料陶瓷材料材料制备工艺

应用场景

超导电力设备, 磁悬浮交通, 核磁共振成像, 粒子加速器, 科学研究

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摘要

本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域，具体涉及一种易除液相源残留的单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱块、压制含有圆孔的液相源先驱块、压制Y2O3圆柱形支柱、压制Yb2O3支撑块、制备钕钡铜氧籽晶、装配先驱块、熔渗生长单畴钆钡铜氧块材、渗氧处理步骤。本发明了提供了一种装配先驱块的新技术，既能实现液相源先驱块中液相的熔渗，又能保证单畴钆钡铜氧超导块材的生长，同时又能极易实现已生长单畴钆钡铜氧超导块材与液相源残留块的分离；不仅大大简化了对液相源残留块的后续切除加工过程，也避免了已生长单畴钆钡铜氧超导块材在分离过程中被破坏的可能性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20180928

✅ 授权

20170111

?? 实质审查的生效：

20161214

📄 公开

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