发明专利已授权

一种常压下锗锡纳米材料的制备方法

📄 申请号：CN202010652263.6 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-07-08

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_02

IPC 分类号

C23C16_02 , C23C16_06 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料半导体材料材料制备工艺

应用场景

半导体器件, 光电材料, 纳米电子器件, 红外探测器, 集成电路

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摘要

本发明提供了一种常压下锗锡纳米材料的制备方法，属于半导体纳米材料技术领域。包括以下步骤：S1、取硅片，在其表面喷涂金属催化剂处理；S2、将S1处理后的硅片平置于圆底瓷舟内的一端，其喷涂金属催化剂的一面朝上；将以质量比为20～10:1的锗粉和锡粉置于圆底瓷舟内的另一端，再将圆底瓷舟置于管式炉的加热腔内，并在位于装有锗粉和锡粉的一端以200sc·cm气体流量连续通入惰性气体，然后将管式炉从室温以5℃/min速率升温至800～850℃后，保温50～110min，再以5℃/min速率降至室温，即在硅片表面获得锗锡纳米材料。本发明能够快速直接制备锗锡纳米材料，在整个制备过程中不需要废气处理、可以持续生产、设备简单，易操作。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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