发明专利已授权

一种InGaAs/AlGaAs阱垒外延层结构的优化方法及其应用

📄 申请号：CN202110054432.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-01-15

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01S5_343

IPC 分类号

H01S5_343 , H01S5_30 , H01S5_183 ,

技术画像

所属领域

化合物半导体化合物半导体外延生长技术光电子器件

应用场景

光通信, 半导体激光器, 光电探测器, 高速电子器件

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摘要

本发明提供了一种InGaAs/AlGaAs阱垒外延层结构的优化方法及其应用，包含GaAs衬底和GaAs间隔层，具体是利用MOCVD方法在GaAs衬底上交替生长量子阱InGaAs和势垒AlGaAs，并在每个InGaAs/AlGaAs阱垒界面处均插入一层GaAs间隔层，有效的减小了In、Al原子偏析的长度，并且减小了AlGaAs势垒厚度，避免了In的扩散，降低了外延生长InGaAs量子阱的难度，有助于提高激光器的内量子效率，增强其光电性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种铁强化剂及其制备方法

当前第 / 件

一种易卷曲纸质档案及文物收藏装具

同领域国内专利 · IPC: (H01S5_343)

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