实用新型已授权

MEMS气敏传感器基底层结构

📄 申请号：CN202420559504.6 📄 发布日：2026/07/13

著录项目信息

申请日

2024-03-21

公开号

CN222105433U

公开日

2024-12-03

申请人

苏州中芯微纳传感科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

G01N33_00

IPC 分类号

G01N33_00 , B81B7_00 , B81B7_02 ,

技术画像

所属领域

气敏传感器 MEMS传感器气体传感器微纳制造气敏传感器

应用场景

空气质量监测, 工业安全, 环境监测, 智能家居, 便携式气体检测

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摘要

本实用新型公开一种MEMS气敏传感器基底层结构，其包括硅基底层，所述硅基底层上方依次层叠有第一绝缘材料层、第二绝缘材料层和微加热层，所述微加热层的上表面设置有保护材料层，所述保护材料层上表面的两端均设置有微电极，两个微电极之间电性连接有气敏材料层，所述硅基底层的底部中段设置有通槽，所述通槽贯穿硅基底层，所述通槽呈梯形状，且其上端的宽度小，所述硅基底层底部的两端均设置有第三绝缘材料层。该MEMS气敏传感器基底层结构，通过在硅基底层上方依次层叠有第一绝缘材料层、第二绝缘材料层等结构，且其厚度均是微米甚至纳米量级，具有体积小、节约材料等优点。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

纳米气敏传感器的硅基底结构

当前第 / 件

带有保护材料层结构的MEMS气敏传感器基底

同领域国内专利 · IPC: (G01N33_00)

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