实用新型已授权

纳米气敏传感器的硅基底结构

📄 申请号：CN202420482862.1 📄 发布日：2026/07/13

著录项目信息

申请日

2024-03-13

公开号

CN222379628U

公开日

2025-01-21

申请人

苏州中芯微纳传感科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

G01N27_12

IPC 分类号

G01N27_12

技术画像

所属领域

气敏传感器气敏传感器纳米传感材料硅基微纳结构

应用场景

环境监测, 工业安全, 智能家居, 可穿戴设备, 呼气诊断

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摘要

本实用新型公开了纳米气敏传感器的硅基底结构，涉及到纳米气敏传感器技术领域，包括基底层，所述基底层的上表面设置有凸出部分，所述凸出部分设置为多个，多个凸出部分呈矩阵状分布，所述凸出部分的外表面设置有凸点，所述凸出部分为梯台状，且靠近基底层一端的面积大，所述基底层的底部开设有空腔，所述空腔呈梯台状，且空腔底端的面积大。该纳米气敏传感器的硅基底结构，在基底层上设置有多个凸出部分，且呈矩阵状分布，可以有效增加气敏材料层的包裹面积，提高硅基底结构单位面积上气敏材料量，进而增加气体分子吸附性会和收集率，从而提高气敏传感器的灵敏度。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种扁丝机

当前第 / 件

MEMS气敏传感器基底层结构

同领域国内专利 · IPC: (G01N27_12)

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