发明专利已授权

一种精确获得晶片双面研磨中上下面去除量的有效方法

📄 申请号：CN202111330294.0 📄 发布日：2026/06/01

著录项目信息

申请日

2021-11-10

公开号

CN114083430B

公开日

2024-02-09

申请人

南通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B24B37_08

IPC 分类号

B24B37_08 , B24B37_00 ,

技术画像

所属领域

半导体晶片加工半导体晶片加工双面研磨工艺加工过程控制

应用场景

半导体制造, 晶圆减薄, 芯片制备, 精密加工, 工艺质量控制

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摘要

本发明提出一种精确获得晶片双面研磨中上下面去除量的有效方法，属于晶体加工技术。本发明通过使用斜断面晶片与正常晶片的同步研磨，待研磨完成后，测量斜断面上下面的边长度值，与研磨前的斜断面上下面边长度值比较计算即可精确得到晶片上下面的去除量。本方法工艺简单易操作，测量准确可靠。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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