发明专利已授权

一种改善氮化镓晶体生长均匀性装置与生长方法

Name: 一种改善氮化镓晶体生长均匀性装置与生长方法
Brand: 南通大学
SKU: 2021113252848
Availability: InStock

📄 申请号：CN202111325284.8 📄 发布日：2026/09/30

著录项目信息

申请日

2021-11-10

公开号

CN114108097A

公开日

2022-03-01

申请人

南通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B29_40

IPC 分类号

C30B29_40 , C30B25_12 , C30B25_14 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

半导体衬底, 发光二极管, 功率半导体器件, 射频通信器件, 光电子器件

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摘要

本发明涉及一种改善氮化镓晶体生长均匀性装置与生长方法，在氢化物气相外延生长氮化镓晶体装置中，通常衬底被固定在石墨托上，氯化镓与氨气在氮气载气作用下从低温区流向高温区的衬底面，进行结晶生长。生长区的气相饱和度受氮气载气流量、生长区装置的结构等影响导致生长的氮化镓晶体厚度明显不均匀。本发明采用带有石墨镂空围栏的石墨托，可以减小气相的涡旋流动速度，增大气相饱和度及其均匀性，并且在氯化镓的进气口增加半侧喇叭形开口，氨气进气口增加全喇叭形开口，可以降低气流速度并增加衬底表面气相的均匀性。本发明结构简单，增加了衬底上气相饱和度和均匀性，提高了氮化镓晶体生长效率，生长的氮化镓晶体表面更为平整且厚度均匀。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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