发明专利已授权

一种基于半导体衬底的高效SPP耦合器及制作方法

📄 申请号：CN202010850210.5 📄 发布日：2026/05/14

著录项目信息

申请日

2020-08-21

公开号

CN111952838B

公开日

2022-07-12

申请人

广东工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01S5_026

IPC 分类号

H01S5_026 , H01S5_02255 , H01S5_02257 , G02B5_00 ,

技术画像

所属领域

光通信器件光通信器件集成光学纳米光子学

应用场景

光通信, 数据中心, 集成光路, 光学传感, 芯片间光互连

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摘要

本申请公开了一种基于半导体衬底的高效SPP耦合器及制作方法，其耦合器通过电流可以直接激发耦合器结构正负极加电压，使有源区发光，发光激发结构表面的非对称金属光栅结构，从而产生单向传输的SPP，SPP经由结构传输后由发射槽散射出光，使得该耦合器具有较高的单向传输比，同时，结构简单，集成性高，便于批量生产。另外，其制作方法简便易行，工艺简单，工艺兼容性较高，适用于大规模批量加工。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

基于非对称金属光栅结构的SPP耦合器及制作方法

当前第 / 件

一种疏水改性环氧乳化剂及其制备方法

同领域国内专利 · IPC: (H01S5_026)

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