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发明专利
已授权
基于非对称金属光栅结构的SPP耦合器及制作方法
📄 申请号:CN202010850190.1
📄 发布日:2026/05/14
著录项目信息
申请日
2020-08-21
公开号
CN111880251B
公开日
2022-09-16
申请人
广东工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G02B5_00
IPC 分类号
G02B5_00
,
G02B5_18
,
技术画像
所属领域
表面等离子体激元
表面等离子体激元
光耦合器
微纳光学
应用场景
光通信, 集成光路, 光互连, 光学传感, 数据中心
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摘要
本申请公开了一种基于非对称金属光栅结构的SPP耦合器及制作方法,其SPP耦合器当入射光通过介质填充层后进入介质光栅层,通过设置非对称金属光栅结构为倒“L”字型结构或“Z”字型结构,从而使得入射光可以垂直射入衬底,激发SPP,无需倾斜入射激发,可大幅降低外置光路的复杂性;而介质光栅层具有若干个周期性的介质光栅,周期性的介质光栅结构可以实现较高的光耦合效率,且可以较好的将入射光限制于衬底内进行单向传播,从而可以提高光耦合效率与单向比,另外,本实施例的SPP耦合器结构简单,制作难度低,适于批量生产。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
一种基于RCLED的传感器及其制造方法
当前第 / 件
一种基于半导体衬底的高效SPP耦合器及制作方法
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覆盖
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