发明专利 已授权

锗硅异质结双极晶体管低温大信号等效电路模型

📄 申请号:CN202211103655.2 📄 发布日:2026/09/09

著录项目信息

申请日
2022-09-09
公开号
CN116314174B
公开日
2023-11-24
申请人
燕山大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

所属领域

应用场景

射频电路设计, 低温电子学, 量子计算, 通信系统, 航空航天电子

摘要

本发明涉及一种锗硅异质结双极晶体管低温大信号等效电路模型,其包括本征低温NPN晶体管单元、寄生衬底PNP晶体管单元、衬底匹配网络单元、基区‑发射区寄生等效电路单元、基区‑集电区寄生等效电路单元、集电区等效电阻、发射区等效电阻和寄生基区等效电阻,集电区等效电阻两端设有集电极端和第一集电区端,发射区等效电阻RE两端设有发射极端和第一发射区端,寄生基区等效电阻两端设有第一基区端和基极端。本发明借助NPN晶体管和PNP晶体管提出的等效电路模型,能精确反映低温环境下锗硅异质结双极晶体管器件物理本质,准确模拟器件低温特性,适用于极端条件下模拟高频集成电路的仿真设计。

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图2
图3

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