发明专利已授权

锗硅异质结双极晶体管低温大信号等效电路模型

📄 申请号：CN202211103655.2 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2022-09-09

公开号

CN116314174B

公开日

2023-11-24

申请人

燕山大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_02

IPC 分类号

H01L27_02 , H01L29_737 ,

技术画像

所属领域

异质结双极晶体管半导体器件集成电路设计电路建模与仿真异质结双极晶体管

应用场景

射频电路设计, 低温电子学, 量子计算, 通信系统, 航空航天电子

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摘要

本发明涉及一种锗硅异质结双极晶体管低温大信号等效电路模型，其包括本征低温NPN晶体管单元、寄生衬底PNP晶体管单元、衬底匹配网络单元、基区‑发射区寄生等效电路单元、基区‑集电区寄生等效电路单元、集电区等效电阻、发射区等效电阻和寄生基区等效电阻，集电区等效电阻两端设有集电极端和第一集电区端，发射区等效电阻RE两端设有发射极端和第一发射区端，寄生基区等效电阻两端设有第一基区端和基极端。本发明借助NPN晶体管和PNP晶体管提出的等效电路模型，能精确反映低温环境下锗硅异质结双极晶体管器件物理本质，准确模拟器件低温特性，适用于极端条件下模拟高频集成电路的仿真设计。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

含平面四连杆子闭环折叠分支的三自由度并联运动平台

当前第 / 件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：78 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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