发明专利已授权

气相沉积装置及氧化亚硅的制备方法

📄 申请号：CN201810059105.2 📄 发布日：2026/06/10

著录项目信息

申请日

2018-01-22

公开号

CN110066987B

公开日

2021-06-04

申请人

新疆知信科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_40

IPC 分类号

C23C16_40 , C23C16_448 , C23C16_46 , C23C16_56 ,

技术画像

所属领域

气相沉积技术气相沉积技术硅基材料制备薄膜沉积设备

应用场景

锂离子电池负极材料, 半导体材料, 光电材料, 纳米材料制备, 真空镀膜

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摘要

本发明公开了一种气相沉积装置及氧化亚硅的制备方法，气相沉积装置，包括炉体、设置于炉体内的加热腔室、设置于炉体外的沉积腔室，气相沉积装置还包括：进料机构、刮取机构、设置于炉体外的收集腔室，收集腔室包括第一阀门，第一阀门用于控制沉积腔室与收集腔室之间通道的开闭。本发明中的气相沉积装置，通过关闭收集腔室入口处的第一阀门，可在线将收集腔室收集到的沉积产物排出，使得气相沉积装置内的气相沉积反应可以连续在线进行，且出料时不影响气相沉积反应。本发明与现有技术相比，能实现连续生产，从而降低了能耗，提高了产能，提高了生产效率。且沉积比较充分，物料损失少，收集的产品具有较高的质量稳定性，能够满足市场大规模的需求。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

检测处理的方法、装置、电子设备和存储介质(电力、大数据)

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锁具

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