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一种三维非催化基底负载石墨烯薄膜结构及其在低温环境下的制备方法

Name: 一种三维非催化基底负载石墨烯薄膜结构及其在低温环境下的制备方法
Brand: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
SKU: 2015107629466
Availability: InStock

📄 申请号：CN201510762946.6 📄 发布日：2026/08/27

著录项目信息

申请日

2015-11-10

公开号

CN105296958B

公开日

2018-10-02

申请人

中国科学院重庆绿色智能技术研究院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_26

IPC 分类号

C23C16_26 , C30B28_14 , C30B29_02 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

电子器件, 传感器, 储能器件, 导热材料, 透明导电薄膜

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摘要

本发明公开了一种三维非催化性基底负载石墨烯薄膜结构，所述结构包括非催化性基片机体，机体表面上刻蚀的三维结构，以及覆盖在整个表面的石墨烯薄膜。本发明也公开了所述三维非催化性基底负载石墨烯薄膜结构在低温环境下的制备方法。本方法操作简便，制作周期短，制作成本低，可以直接在不同材料，与具有不同表面三维结构的非催化性基片上全表面共形覆盖高质量的连续均匀的石墨烯薄膜。三维非催化性基底负载石墨烯薄膜可以作为表面的透明电极在光电器件、微机电系统(MEMS)等器件上加以应用，也可用于开发新型纳米器件。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN105296958B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20181002

✅ 授权

20160302

?? 实质审查的生效：

20160203

📄 公开

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