实用新型 已授权

一种用于激光二极管芯片快速扩晶的装置

📄 申请号:CN202022508293.8 📄 发布日:2025/12/03

著录项目信息

申请日
2020-11-03
公开号
CN213341069U
公开日
2021-06-01
申请人
武汉智汇芯科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
实用新型
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

激光二极管制造, 半导体芯片封装, 晶圆扩片, 光电子器件制造

摘要

本实用新型公开了一种用于激光二极管芯片快速扩晶的装置,涉及到激光二极管芯片扩晶领域,包括箱体,所述箱体的表面通过转轴转动连接有箱门,所述箱体的底部固定安装有扩晶块,所述扩晶块的顶部中心处开设有扩晶圆模槽,所述扩晶块的底部开设有第一空腔,所述第一空腔内部设置有顶出机构,所述箱体的顶部固定安装有液压杆,所述液压杆的底部固定安装有扩晶压圆盘,所述扩晶压圆盘的内部开设有第二空腔,所述第二空腔内部设置有加热机构,所述箱体内部设置有快速冷却机构。本实用新型能够对压型完成的晶圆进行快速冷却,加快塑性速度,提高生产效率,还能够对塑性完成的晶圆进行快速顶出,从而方便人员拿取塑性完成的晶圆。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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